### 產(chǎn)品簡介
K3567-VB是一款高壓單N通道MOSFET，采用TO220F封裝，專為高電壓應(yīng)用設(shè)計。其650V的漏極-源極電壓和相對較低的電流承載能力，使其在高電壓環(huán)境下提供可靠的性能，適用于多種工業(yè)和電源管理應(yīng)用。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**: K3567-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N通道
- **漏極-源極電壓（VDS）**: 650V
- **柵極-源極電壓（VGS）**: ±30V
- **閾值電壓（Vth）**: 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**: 2560mΩ@VGS=10V
- **連續(xù)漏電流（ID）**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar
### 應(yīng)用領(lǐng)域
K3567-VB廣泛應(yīng)用于高壓電源、開關(guān)電源和逆變器。其650V的高電壓能力特別適合用于電力電子設(shè)備，提供穩(wěn)定的開關(guān)性能，確保在高壓環(huán)境下的安全運行。此外，該產(chǎn)品也可用于工業(yè)設(shè)備中的高壓開關(guān)控制，確?？煽康碾娏鞴芾砗透咝У哪芰哭D(zhuǎn)換。
