--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### K3726-01MR-VB 產(chǎn)品簡介
K3726-01MR-VB 是一款高壓 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應(yīng)用場景設(shè)計(jì)。其最大漏極-源極電壓 (VDS) 為 650V,適用于處理高壓和中等電流的電路。由于其 Plannar 結(jié)構(gòu)和可靠的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),該器件在高電壓功率轉(zhuǎn)換和電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,適合在各種高壓電氣設(shè)備中提供穩(wěn)定和高效的操作。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號(hào)**: K3726-01MR-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單個(gè) N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ (VGS = 10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
K3726-01MR-VB MOSFET 由于其高壓特性和可靠的 Plannar 設(shè)計(jì),非常適用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:該 MOSFET 能夠用于高壓 AC-DC 或 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器中,處理高壓輸入并實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。這類應(yīng)用多見于工業(yè)設(shè)備、通信基站和電力變電站。
2. **太陽能逆變器**:在太陽能逆變器中,K3726-01MR-VB 能夠處理太陽能電池板產(chǎn)生的高壓輸入,保證直流電轉(zhuǎn)換成交流電時(shí)的穩(wěn)定運(yùn)行,提升系統(tǒng)效率。
3. **電動(dòng)工具電源模塊**:該 MOSFET 可用于電動(dòng)工具的高壓電源模塊中,提供穩(wěn)定的電流管理,確保工具在高負(fù)載條件下能夠穩(wěn)定高效工作。
4. **家用電器電源模塊**:在家用電器(如空調(diào)、冰箱)中,K3726-01MR-VB 能夠用于電源管理模塊,提供高壓控制及安全保護(hù)功能,確保設(shè)備的長時(shí)間運(yùn)行穩(wěn)定。
這些領(lǐng)域的應(yīng)用場景展示了 K3726-01MR-VB 的卓越性能,尤其適用于高壓、高可靠性的場合。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛