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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3726-01MR-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): K3726-01MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K3726-01MR-VB 產(chǎn)品簡介

K3726-01MR-VB 是一款高壓 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應(yīng)用場景設(shè)計(jì)。其最大漏極-源極電壓 (VDS) 為 650V,適用于處理高壓和中等電流的電路。由于其 Plannar 結(jié)構(gòu)和可靠的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),該器件在高電壓功率轉(zhuǎn)換和電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,適合在各種高壓電氣設(shè)備中提供穩(wěn)定和高效的操作。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: K3726-01MR-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單個(gè) N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ (VGS = 10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

K3726-01MR-VB MOSFET 由于其高壓特性和可靠的 Plannar 設(shè)計(jì),非常適用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:該 MOSFET 能夠用于高壓 AC-DC 或 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器中,處理高壓輸入并實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。這類應(yīng)用多見于工業(yè)設(shè)備、通信基站和電力變電站。

2. **太陽能逆變器**:在太陽能逆變器中,K3726-01MR-VB 能夠處理太陽能電池板產(chǎn)生的高壓輸入,保證直流電轉(zhuǎn)換成交流電時(shí)的穩(wěn)定運(yùn)行,提升系統(tǒng)效率。

3. **電動(dòng)工具電源模塊**:該 MOSFET 可用于電動(dòng)工具的高壓電源模塊中,提供穩(wěn)定的電流管理,確保工具在高負(fù)載條件下能夠穩(wěn)定高效工作。

4. **家用電器電源模塊**:在家用電器(如空調(diào)、冰箱)中,K3726-01MR-VB 能夠用于電源管理模塊,提供高壓控制及安全保護(hù)功能,確保設(shè)備的長時(shí)間運(yùn)行穩(wěn)定。

這些領(lǐng)域的應(yīng)用場景展示了 K3726-01MR-VB 的卓越性能,尤其適用于高壓、高可靠性的場合。

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