91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

K3757-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): K3757-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K3757-VB 產(chǎn)品簡介

K3757-VB 是一款高電壓單N通道MOSFET,采用TO220F封裝,專為需要高耐壓和可靠性的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其漏極-源極電壓(VDS)可達(dá)650V,適合高壓環(huán)境下的開關(guān)應(yīng)用。該器件的柵極-源極電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V。在VGS為10V的情況下,其導(dǎo)通電阻為2560mΩ,最大漏極電流(ID)為4A。由于采用Plannar技術(shù),這款MOSFET在高電壓和高溫條件下仍能保持良好的性能,廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)控制和電力電子等領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: K3757-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N通道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**: K3757-VB 適用于高壓DC-DC和AC-DC電源轉(zhuǎn)換器,能夠處理高達(dá)650V的輸入電壓,確保電源在高壓環(huán)境中的穩(wěn)定性和高效運(yùn)行。

2. **電力電子設(shè)備**: 該MOSFET 可廣泛應(yīng)用于電力電子設(shè)備中的逆變器和整流器,幫助實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和管理,適合用于可再生能源系統(tǒng),如太陽能和風(fēng)能轉(zhuǎn)換。

3. **工業(yè)自動(dòng)化控制**: 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,K3757-VB 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制,確保在高壓和高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性,適合于工業(yè)機(jī)器人和自動(dòng)化設(shè)備。

4. **汽車電子**: 由于其高電壓承載能力,該器件在汽車電源管理系統(tǒng)中也十分有效,可用于電池管理和動(dòng)力傳輸,確保能量的安全和高效使用。

5. **家用電器**: K3757-VB 適用于各種高壓家用電器,如空調(diào)和冰箱中的電源模塊,能夠有效管理功率轉(zhuǎn)換,延長設(shè)備的使用壽命。

通過這些應(yīng)用,K3757-VB 為高電壓環(huán)境提供了可靠、高效的解決方案,滿足不同領(lǐng)域?qū)Ω咝阅躆OSFET的需求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    505瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    427瀏覽量