--- 產品參數 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、K3868_09-VB 產品簡介
K3868_09-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應用設計。其漏極電壓 (VDS) 高達 650V,使其非常適合用于電力電子設備和工業(yè)自動化領域。該器件采用平面 (Planar) 技術,能夠在高電壓環(huán)境中提供可靠的性能。在 10V 的柵極驅動電壓 (VGS) 下,導通電阻 (RDS(ON)) 僅為 1100mΩ,適用于需要處理較高電流和較低功耗的應用。
### 二、K3868_09-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO220F
- **溝道配置**: 單 N 溝道
- **漏極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術**: 平面 (Planar)
其他參數:
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **功耗 (Pd)**: 35W,具體取決于散熱情況
- **輸入電容 (Ciss)**: 約 1000pF,適合高頻開關應用
- **反向恢復時間 (trr)**: 典型值為 50ns
### 三、K3868_09-VB 的應用領域和模塊
K3868_09-VB 由于其高電壓和中等電流能力,廣泛適用于多個領域:
1. **電源轉換器**:該 MOSFET 的高漏極電壓使其適合用于高壓開關電源和 DC-DC 轉換器中,特別是在需要將高壓直流電轉換為低壓直流電的應用中。通過有效控制電流流動,K3868_09-VB 有助于提高能量轉換效率。
2. **逆變器**:在太陽能和風能的逆變器中,K3868_09-VB 能夠將直流電轉換為交流電,為電網提供穩(wěn)定的電力輸出。其高電壓能力確保在大功率轉換時保持安全和可靠。
3. **工業(yè)自動化**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,K3868_09-VB 可用于電機驅動和閥門控制,支持各種傳動和執(zhí)行機構。它的高壓和低導通電阻特性使其在控制高電流負載時,能夠保持較低的功耗和發(fā)熱。
4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理中,K3868_09-VB 可以用作保護開關,幫助管理電池充放電過程,確保系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定,尤其在高壓電池組中。
5. **LED 驅動器**:在 LED 照明應用中,K3868_09-VB 可用于高壓 LED 驅動電路,確保高效、穩(wěn)定的電流供應,提高 LED 的亮度和效率。
綜上所述,K3868_09-VB 作為一款高電壓、高效能的 MOSFET,非常適合在高功率和高電壓的應用場景中使用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12