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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K3868_09-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K3868_09-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、K3868_09-VB 產品簡介
K3868_09-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應用設計。其漏極電壓 (VDS) 高達 650V,使其非常適合用于電力電子設備和工業(yè)自動化領域。該器件采用平面 (Planar) 技術,能夠在高電壓環(huán)境中提供可靠的性能。在 10V 的柵極驅動電壓 (VGS) 下,導通電阻 (RDS(ON)) 僅為 1100mΩ,適用于需要處理較高電流和較低功耗的應用。

### 二、K3868_09-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO220F
- **溝道配置**: 單 N 溝道
- **漏極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術**: 平面 (Planar)

其他參數:
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **功耗 (Pd)**: 35W,具體取決于散熱情況
- **輸入電容 (Ciss)**: 約 1000pF,適合高頻開關應用
- **反向恢復時間 (trr)**: 典型值為 50ns

### 三、K3868_09-VB 的應用領域和模塊
K3868_09-VB 由于其高電壓和中等電流能力,廣泛適用于多個領域:

1. **電源轉換器**:該 MOSFET 的高漏極電壓使其適合用于高壓開關電源和 DC-DC 轉換器中,特別是在需要將高壓直流電轉換為低壓直流電的應用中。通過有效控制電流流動,K3868_09-VB 有助于提高能量轉換效率。

2. **逆變器**:在太陽能和風能的逆變器中,K3868_09-VB 能夠將直流電轉換為交流電,為電網提供穩(wěn)定的電力輸出。其高電壓能力確保在大功率轉換時保持安全和可靠。

3. **工業(yè)自動化**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,K3868_09-VB 可用于電機驅動和閥門控制,支持各種傳動和執(zhí)行機構。它的高壓和低導通電阻特性使其在控制高電流負載時,能夠保持較低的功耗和發(fā)熱。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理中,K3868_09-VB 可以用作保護開關,幫助管理電池充放電過程,確保系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定,尤其在高壓電池組中。

5. **LED 驅動器**:在 LED 照明應用中,K3868_09-VB 可用于高壓 LED 驅動電路,確保高效、穩(wěn)定的電流供應,提高 LED 的亮度和效率。

綜上所述,K3868_09-VB 作為一款高電壓、高效能的 MOSFET,非常適合在高功率和高電壓的應用場景中使用。

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