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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3868-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3868-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介 (K3868-VB)

K3868-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單一 N 溝道 MOSFET,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計。其漏源電壓 (VDS) 達到 650V,能夠滿足廣泛的電氣需求。該 MOSFET 的柵源電壓 (VGS) 范圍為 ±30V,開啟電壓 (Vth) 為 3.5V,適合多種驅(qū)動電路的需求。此外,K3868-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 1100mΩ,在 VGS=10V 時可以承載高達 7A 的連續(xù)漏極電流 (ID)。該器件采用平面技術(shù) (Plannar),具有優(yōu)良的開關(guān)性能和熱穩(wěn)定性,非常適合用于高功率和高頻率應(yīng)用。

---

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220F  
- **配置**: 單一 N 溝道 MOSFET  
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V  
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 7A  
- **技術(shù)類型**: 平面 (Plannar) 技術(shù)  
- **開關(guān)速度**: 適合高頻應(yīng)用,能夠快速響應(yīng)  
- **最大功耗**: 提供優(yōu)良的熱性能,適合高功率場合  

---

### 適用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**: K3868-VB 在高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中應(yīng)用廣泛,尤其適用于需要 650V 以上電壓的電源系統(tǒng),如電力電子設(shè)備和工業(yè)電源模塊。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力可以有效提升能量轉(zhuǎn)換效率。

2. **逆變器**: 該 MOSFET 適用于光伏逆變器和風(fēng)能逆變器中,能夠在高電壓和大電流條件下穩(wěn)定工作,確保能源的有效轉(zhuǎn)換與傳輸。

3. **開關(guān)電源 (SMPS)**: 在開關(guān)電源模塊中,K3868-VB 可以作為高壓開關(guān)器件,支持高頻開關(guān)操作,提高系統(tǒng)的整體效率與性能,適合電信設(shè)備和消費電子產(chǎn)品。

4. **電機驅(qū)動應(yīng)用**: K3868-VB 可以應(yīng)用于需要高電壓和高電流的電機驅(qū)動電路,如電動汽車和工業(yè)自動化系統(tǒng)中的電動機控制,提供高效能的驅(qū)動解決方案。

5. **照明系統(tǒng)**: 在高壓照明應(yīng)用(如 LED 驅(qū)動電源)中,該 MOSFET 由于其優(yōu)良的開關(guān)性能,能夠滿足快速開關(guān)和高功率輸出的需求,提升照明設(shè)備的效率和穩(wěn)定性。

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