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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K3888-01MR-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K3888-01MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K3888-01MR-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K3888-01MR-VB 是一款基于平面技術(shù)(Plannar)設(shè)計(jì)的單 N 溝道功率 MOSFET,封裝為 TO220F,適合高電壓和高電流應(yīng)用。其最大漏源電壓為 650V,柵源電壓范圍為 ±30V,閾值電壓為 3.5V,導(dǎo)通電阻為 830mΩ(在 VGS = 10V 下),能夠承載高達(dá) 10A 的漏極電流。這款 MOSFET 的設(shè)計(jì)旨在提高效率,減少能耗,廣泛應(yīng)用于電源管理和開關(guān)控制領(lǐng)域。

### 二、K3888-01MR-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**: TO220F
- **通道配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)**: 平面技術(shù)(Plannar)

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **開關(guān)電源**
  K3888-01MR-VB 在開關(guān)電源(SMPS)中被廣泛使用,能夠處理高電壓和電流的電源轉(zhuǎn)換過(guò)程。其低導(dǎo)通電阻特性有助于減少功率損耗,提高效率,適用于各種 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

2. **電機(jī)控制**
  該 MOSFET 非常適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng),例如直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器。其高電流承載能力確保電機(jī)在高負(fù)載情況下的平穩(wěn)運(yùn)行,提供穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)性能。

3. **電氣保護(hù)電路**
  K3888-01MR-VB 可用作電氣保護(hù)電路中的開關(guān)元件,能夠在過(guò)壓和過(guò)流情況下提供有效保護(hù)。高電壓耐受能力使其能夠可靠地工作在高電壓環(huán)境中,保護(hù)其他電氣組件不受損壞。

4. **家電產(chǎn)品**
  在家電產(chǎn)品中,K3888-01MR-VB 可用于電源模塊和負(fù)載開關(guān),提供高效的電源控制。在如洗衣機(jī)、空調(diào)等設(shè)備中,它能夠幫助實(shí)現(xiàn)智能控制和節(jié)能。

通過(guò)這些應(yīng)用示例,K3888-01MR-VB 的高電壓和高電流特性使其在電源管理、工業(yè)控制和消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。

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