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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3915-01MR-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3915-01MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**K3915-01MR-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:**

K3915-01MR-VB 是一款高電壓N通道MOSFET,采用TO-220F封裝,專為高壓電源管理和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為650V,能夠滿足高壓電路的需求,適用于多種工業(yè)和消費類電子設(shè)備。該MOSFET的柵源電壓(VGS)范圍為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V,確保在適當(dāng)?shù)臇烹妷合履軌蚩焖賹?dǎo)通。K3915-01MR-VB的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為830mΩ(在VGS=10V時),可有效減少導(dǎo)通損耗。它的最大連續(xù)漏電流(ID)為10A,采用平面技術(shù)(Plannar),具有較好的性能和可靠性,特別適合在高溫和高功率條件下運行。

---

**K3915-01MR-VB 詳細參數(shù):**

- **配置:** 單N通道
- **封裝:** TO-220F
- **VDS(漏源電壓):** 650V
- **VGS(柵源電壓):** ±30V
- **Vth(柵閾值電壓):** 3.5V
- **RDS(ON) @ VGS=10V:** 830mΩ
- **ID(連續(xù)漏電流):** 10A
- **技術(shù):** 平面技術(shù)(Plannar)

K3915-01MR-VB 的高耐壓能力和良好的導(dǎo)電性能使其成為高效電源轉(zhuǎn)換和開關(guān)電路的理想選擇。

---

**K3915-01MR-VB 在不同領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用示例:**

1. **開關(guān)電源(SMPS):**
  K3915-01MR-VB 非常適合用于高壓開關(guān)電源中,由于其高耐壓和較低的導(dǎo)通電阻,能夠高效地將電源從高壓轉(zhuǎn)換為所需的低壓輸出,確保電源的穩(wěn)定性和高效能。

2. **電機驅(qū)動:**
  在電機控制系統(tǒng)中,K3915-01MR-VB 的10A電流承載能力使其能夠驅(qū)動中等功率的直流電機或步進電機,保證高效的電流控制和響應(yīng)速度。

3. **逆變器:**
  該MOSFET 可用于太陽能逆變器和其他類型的逆變器,其650V的耐壓特性使其能夠安全處理高電壓直流電,確保穩(wěn)定地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。

4. **LED驅(qū)動器:**
  在LED照明系統(tǒng)中,K3915-01MR-VB 可用于驅(qū)動高功率LED,其低導(dǎo)通損耗有助于提升照明效率,同時降低熱量產(chǎn)生。

5. **工業(yè)控制設(shè)備:**
  K3915-01MR-VB 也適用于工業(yè)自動化控制設(shè)備,能夠在高壓環(huán)境下可靠工作,確保設(shè)備在各種工業(yè)應(yīng)用中的安全性和效率。

在這些應(yīng)用中,K3915-01MR-VB MOSFET 提供了高效率、可靠性和良好的熱管理性能,非常適合在要求高電壓和高功率的環(huán)境中運行。

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