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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K3917-01MR-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K3917-01MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 (K3917-01MR-VB)

K3917-01MR-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單一 N 溝道 MOSFET,專(zhuān)為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的漏源電壓 (VDS) 可高達(dá) 650V,適用于需要高電壓操作的應(yīng)用場(chǎng)合。其柵源電壓 (VGS) 允許在 ±30V 范圍內(nèi)工作,而開(kāi)啟電壓 (Vth) 為 3.5V,使得其能夠在多種驅(qū)動(dòng)電路中實(shí)現(xiàn)有效控制。K3917-01MR-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS=10V 時(shí)為 1100mΩ,這使得其能夠承載高達(dá) 7A 的連續(xù)漏極電流 (ID)。采用平面技術(shù) (Plannar) 的設(shè)計(jì),使得該 MOSFET 在開(kāi)關(guān)性能和熱穩(wěn)定性方面表現(xiàn)優(yōu)異,非常適合高功率和高頻率的電力應(yīng)用。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**: TO220F  
- **配置**: 單一 N 溝道 MOSFET  
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
- **開(kāi)啟電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V  
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 7A  
- **技術(shù)類(lèi)型**: 平面 (Plannar) 技術(shù)  
- **開(kāi)關(guān)速度**: 適合高頻應(yīng)用,能夠快速響應(yīng)  
- **最大功耗**: 優(yōu)良的散熱性能,適用于大功率負(fù)載  

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### 適用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**: K3917-01MR-VB 適用于高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠在高電壓和大電流條件下穩(wěn)定工作,確保高效的能量轉(zhuǎn)換,廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源和電力電子設(shè)備。

2. **逆變器**: 該 MOSFET 非常適合用于光伏逆變器和風(fēng)能逆變器,能夠處理高電壓輸入并高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,支持可再生能源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

3. **開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)**: 在開(kāi)關(guān)電源模塊中,K3917-01MR-VB 可以作為高壓開(kāi)關(guān)器件,支持高頻開(kāi)關(guān)操作,適用于電信設(shè)備、服務(wù)器電源和消費(fèi)電子產(chǎn)品,提升系統(tǒng)的效率和性能。

4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用**: 該 MOSFET 適用于需要高電壓和高電流的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,能夠在電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中提供高效能的驅(qū)動(dòng)解決方案,確保電動(dòng)機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。

5. **高壓照明系統(tǒng)**: 在高壓照明應(yīng)用中,K3917-01MR-VB 可用作燈具的驅(qū)動(dòng)器,確保快速開(kāi)關(guān)和高功率輸出,提高照明設(shè)備的能效和安全性。

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