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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3986-01MR-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3986-01MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K3986-01MR-VB 產(chǎn)品簡介

K3986-01MR-VB 是一款高壓單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為要求高耐壓和低功耗的應(yīng)用而設(shè)計。其最大漏極至源極電壓(VDS)可達 650V,適合各種高電壓的電源管理系統(tǒng)。該 MOSFET 的門源極電壓(VGS)范圍為 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V,使其在邏輯電平下能夠穩(wěn)定工作。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 10V 的門源電壓下為 2560mΩ,提供良好的導(dǎo)通性能,適合高效能的電源轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)                  | 描述                      |
|---------------------|-------------------------|
| **封裝**              | TO220F                  |
| **配置**              | 單 N 溝道 MOSFET        |
| **最大漏極電壓 (VDS)** | 650V                    |
| **門源電壓 (VGS)**    | ±30V                    |
| **閾值電壓 (Vth)**    | 3.5V                    |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 2560mΩ @ VGS=10V       |
| **最大漏極電流 (ID)**  | 4A                      |
| **技術(shù)**              | 平面技術(shù)                 |

### 適用領(lǐng)域與模塊示例

K3986-01MR-VB MOSFET 可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **開關(guān)電源**:由于其高耐壓特性,該 MOSFET 適用于開關(guān)電源的主開關(guān)元件,能夠處理高達 650V 的電壓,適合用于電源適配器和電源管理 IC。

2. **電機驅(qū)動**:在電機驅(qū)動應(yīng)用中,K3986-01MR-VB 可用于控制電機的開關(guān),支持高電壓和高電流操作,尤其是在工業(yè)電機和家電電機中。

3. **照明控制**:在 LED 照明控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于調(diào)節(jié)電流,提供穩(wěn)定的電源,并優(yōu)化能效,延長燈具的使用壽命。

4. **電源轉(zhuǎn)換器**:用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器中,K3986-01MR-VB 的低導(dǎo)通電阻有助于減少功耗,提高整體效率。

5. **高壓應(yīng)用**:適用于需要高壓和高效能的應(yīng)用,例如電力傳輸系統(tǒng)和高壓直流電源等領(lǐng)域。

K3986-01MR-VB MOSFET 以其優(yōu)異的性能和多樣的應(yīng)用領(lǐng)域,成為電子工程師在高壓電源設(shè)計中的理想選擇。

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