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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3A60DA-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3A60DA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

K3A60DA-VB 是一款高電壓 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應(yīng)用而設(shè)計。該 MOSFET 的最大漏極源電壓 (VDS) 可達到 650V,使其在高壓環(huán)境中表現(xiàn)出色。其閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,適合用于多種控制電路。盡管其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 2560mΩ,但它在相對較高的電壓下仍能提供穩(wěn)定的電流輸出,額定漏極電流 (ID) 為 4A。該產(chǎn)品采用平面技術(shù)(Plannar technology),使其具備良好的開關(guān)性能和可靠性,適用于各種工業(yè)和消費電子產(chǎn)品。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: K3A60DA-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單 N 通道
- **最大漏極源電壓 (VDS)**: 650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: 平面技術(shù) (Plannar)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:K3A60DA-VB 可用于高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,以實現(xiàn)從高電壓源到低電壓負(fù)載的有效電源轉(zhuǎn)換,確保穩(wěn)定的電流輸出。

2. **電機控制**:在工業(yè)自動化中,該 MOSFET 可以應(yīng)用于電機驅(qū)動電路,幫助控制和調(diào)節(jié)電機的運行狀態(tài),尤其適合高壓電機應(yīng)用。

3. **開關(guān)電源**:在開關(guān)電源模塊中,K3A60DA-VB 能夠有效地控制輸出電壓,確保負(fù)載獲得所需的電壓和電流,適用于各種消費電子產(chǎn)品。

4. **逆變器**:該 MOSFET 適用于光伏逆變器和風(fēng)力發(fā)電逆變器中,能夠處理高電壓和大電流,提升能源轉(zhuǎn)換效率。

5. **照明控制**:在高壓燈具驅(qū)動中,K3A60DA-VB 可以用于高壓燈的開關(guān)控制,確保燈具能夠安全穩(wěn)定地工作。

通過這些應(yīng)用場景,可以看出 K3A60DA-VB 是一款高電壓、高可靠性的 N 通道 MOSFET,適合多種工業(yè)和消費領(lǐng)域。

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