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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K3A65DA-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K3A65DA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### K3A65DA-VB MOSFET 產品簡介

K3A65DA-VB 是一款高電壓、高效率的N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓應用而設計。其最大漏極-源極電壓(VDS)達到650V,柵極-源極電壓(VGS)可達±30V,具有良好的耐壓性能。該器件的導通電阻(RDS(ON))為2560mΩ(在VGS=10V時),可以承載最高4A的漏極電流。K3A65DA-VB 基于平面(Plannar)技術制造,適用于需要高耐壓和可靠性的應用,確保在各種工作條件下穩(wěn)定運行。

### 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO220F
- **溝道配置**: 單一N溝道
- **最大漏極-源極電壓(VDS)**: 650V
- **最大柵極-源極電壓(VGS)**: ±30V
- **開啟電壓(Vth)**: 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**: 4A
- **技術類型**: 平面(Plannar)技術
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **功耗(Pd)**: 40W (典型值)
- **最大瞬態(tài)柵極電荷(Qg)**: 20nC
- **輸入電容(Ciss)**: 1200pF

### 應用領域及模塊舉例

1. **電源轉換器**  
K3A65DA-VB 非常適用于**開關電源(SMPS)**和其他電源轉換器中,特別是在需要高耐壓的應用場合。其650V的耐壓特性使其能夠處理高電壓電源的輸出,確保電源系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。

2. **照明控制**  
在**高壓照明系統(tǒng)**中,例如高壓鈉燈或金屬鹵化物燈,該MOSFET能夠高效控制燈具的開關和調光。其可靠的電流承載能力確保照明設備的安全運行,特別是在工業(yè)或商業(yè)照明場合。

3. **電機驅動**  
K3A65DA-VB 可以廣泛應用于**電動機驅動**和控制系統(tǒng)中,尤其是在高電壓驅動的直流電動機或步進電機控制模塊。它的高耐壓特性和穩(wěn)定的開關性能為電機提供可靠的控制信號。

4. **逆變器和功率模塊**  
在**太陽能逆變器**和其他功率模塊中,該MOSFET能夠作為主要的開關元件,處理從太陽能電池板到電網的高電壓電流,確保高效能的能量轉換。

總的來說,K3A65DA-VB MOSFET 憑借其高耐壓、低導通損耗和良好的電氣性能,適合多種高壓應用,是電源管理、電機控制及照明領域的理想選擇。

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