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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K40A08K3-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K40A08K3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K40A08K3-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K40A08K3-VB 是一款采用 TO220F 封裝的高壓?jiǎn)?N 通道 MOSFET,旨在滿足高電壓和中等電流的應(yīng)用需求。該器件的最大漏極源極電壓 (VDS) 高達(dá) 650V,適合在要求高耐壓的電源管理系統(tǒng)中使用。其柵極源極電壓 (VGS) 額定為 ±30V,保證了在多種驅(qū)動(dòng)環(huán)境下的可靠性。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,提供了良好的開關(guān)性能。RDS(ON) 在 VGS=10V 時(shí)為 2560mΩ,確保了較低的導(dǎo)通損耗。最大漏電流 (ID) 為 4A,基于 Plannar 技術(shù),適用于廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)               | 值                     |
|------------------|----------------------|
| 型號(hào)               | K40A08K3-VB          |
| 封裝               | TO220F               |
| 配置               | 單 N 通道            |
| 最大漏極源極電壓 (VDS) | 650V                 |
| 最大柵極源極電壓 (VGS) | ±30V                |
| 閾值電壓 (Vth)    | 3.5V                 |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 2560mΩ @ VGS=10V     |
| 最大漏電流 (ID)   | 4A                   |
| 技術(shù)               | Plannar              |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

K40A08K3-VB MOSFET 適用于多種領(lǐng)域和模塊,以下是一些典型應(yīng)用:

1. **高壓電源管理**:由于其650V的高漏極源極電壓,K40A08K3-VB 非常適合用于高壓電源轉(zhuǎn)換器和電源適配器,能夠穩(wěn)定地控制電流并提高轉(zhuǎn)換效率。

2. **工業(yè)控制**:該 MOSFET 可以在各種工業(yè)設(shè)備中用作開關(guān)元件,尤其是在電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制和加熱元件的驅(qū)動(dòng)中,保證設(shè)備在高電壓條件下的可靠性和安全性。

3. **光伏逆變器**:在太陽(yáng)能光伏逆變器中,K40A08K3-VB 可以用于高效地轉(zhuǎn)換和管理從太陽(yáng)能電池板到電網(wǎng)或電池的電流,確保系統(tǒng)在不同負(fù)載條件下的穩(wěn)定工作。

4. **電動(dòng)車充電站**:在電動(dòng)車充電站中,該 MOSFET 可用于高壓充電設(shè)備,確保充電過(guò)程的高效和安全,支持快速充電。

5. **LED驅(qū)動(dòng)電路**:在大功率LED照明應(yīng)用中,K40A08K3-VB 可用于驅(qū)動(dòng)電源,提供穩(wěn)定的電流輸出,以實(shí)現(xiàn)高亮度和長(zhǎng)壽命的LED照明。

綜上所述,K40A08K3-VB MOSFET 由于其高壓和中等電流能力,能夠在多種領(lǐng)域和應(yīng)用中提供可靠的電源解決方案,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的高性能需求。

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