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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K4197-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K4197-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**K4197-VB MOSFET產(chǎn)品簡(jiǎn)介**

K4197-VB是一款高性能的單通道N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為650V,最大柵源電壓(VGS)為±30V,門檻電壓(Vth)為3.5V。K4197-VB的導(dǎo)通電阻為2560mΩ(@VGS=10V),最大漏極電流(ID)可達(dá)4A。該MOSFET采用平面技術(shù)(Plannar),具有良好的電流處理能力和開關(guān)性能,適合于多種電力電子應(yīng)用,尤其是在需要處理高電壓和功率的場(chǎng)合。

---

**K4197-VB詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明**

- **封裝類型**: TO220F  
- **配置**: 單N溝道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V  
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A  
- **技術(shù)工藝**: Plannar  
- **最大功耗**: 根據(jù)散熱條件,具體功耗可能有所不同。  
- **工作溫度范圍**: -55°C至+150°C  
- **開關(guān)速度**: 盡管采用了平面技術(shù),K4197-VB仍能在一定程度上實(shí)現(xiàn)快速開關(guān),適合需要頻繁開關(guān)的應(yīng)用。

---

**應(yīng)用領(lǐng)域及模塊**

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:  
  K4197-VB MOSFET在高壓電源轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色,適合用于AC-DC或DC-DC轉(zhuǎn)換模塊。這款器件能夠承受高達(dá)650V的電壓,為電源系統(tǒng)提供可靠的開關(guān)解決方案,同時(shí)保持合理的功耗。

2. **逆變器應(yīng)用**:  
  該MOSFET適用于光伏逆變器和其他類型的逆變器,能夠有效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高耐壓特性使其在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中成為理想選擇,確保在高壓環(huán)境下運(yùn)行穩(wěn)定。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:  
  K4197-VB在電動(dòng)機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中也很常見,尤其是在需要高電壓和中等電流的場(chǎng)合。其穩(wěn)定的性能可以確保電動(dòng)機(jī)在各種負(fù)載條件下正常工作,提高整體驅(qū)動(dòng)效率。

4. **照明控制系統(tǒng)**:  
  在照明控制系統(tǒng)中,K4197-VB可以用于調(diào)節(jié)和控制高壓燈具,尤其是在需要高電壓的場(chǎng)合,如高壓鈉燈或金鹵燈等。該MOSFET的高電壓特性確保了安全和高效的燈具控制。

5. **不間斷電源 (UPS)**:  
  K4197-VB可用于不間斷電源系統(tǒng),為關(guān)鍵設(shè)備提供可靠的電力保障。在停電或電源波動(dòng)時(shí),K4197-VB能夠迅速響應(yīng),提供穩(wěn)定的電力輸出,保護(hù)設(shè)備的正常運(yùn)行。

綜上所述,K4197-VB MOSFET是一款適合高壓應(yīng)用的高性能器件,廣泛應(yīng)用于高壓電源轉(zhuǎn)換、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、照明控制和不間斷電源等領(lǐng)域,展現(xiàn)出優(yōu)異的性能和可靠性。

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