--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、K4198-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
K4198-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,適合高壓應(yīng)用。該器件的漏源電壓(VDS)高達(dá) 650V,適合用于各種高電壓電路設(shè)計(jì)。柵源電壓(VGS)為 ±30V,確保了在不同應(yīng)用中的穩(wěn)定性和控制性能。開啟閾值電壓(Vth)為 3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 2560mΩ @ VGS=10V,漏極電流(ID)為 4A。K4198-VB 采用平面(Plannar)技術(shù),專為高壓低功率應(yīng)用而設(shè)計(jì),具有高耐壓、可靠性強(qiáng)等特點(diǎn)。
### 二、K4198-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220F
- **溝道類型**:單 N 溝道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **開啟閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:4A
- **技術(shù)類型**:平面(Plannar)技術(shù)
- **散熱性能**:TO220F 封裝提供良好的散熱性能
### 三、K4198-VB MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **高壓電源控制**
K4198-VB 非常適合用于高壓開關(guān)電源(SMPS)中,特別是用于小功率的電源管理系統(tǒng)。其 650V 的耐壓能力確保在高電壓應(yīng)用中提供安全和可靠的電源控制,例如用于工業(yè)電源、小型逆變器以及家用電器的高壓電路。
2. **LED 驅(qū)動電路**
在 LED 照明系統(tǒng)中,K4198-VB 可用于高壓驅(qū)動電路,尤其是在需要通過低功率元件控制高壓 LED 燈的場合。其高電壓特性和相對較小的電流能力,使其適合應(yīng)用于高效、節(jié)能的 LED 照明設(shè)備。
3. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**
K4198-VB 可用于需要高壓處理的電池管理系統(tǒng)中,尤其適合于電動工具、電動車和工業(yè)儲能設(shè)備中。其較高的漏源電壓保證了在高壓下的可靠工作,但其相對較小的漏極電流適合于低功率的高壓模塊。
4. **小型逆變器**
在小功率逆變器中,K4198-VB 可用作高壓開關(guān)元件,特別適用于高壓、低功耗的應(yīng)用環(huán)境,如小型家用逆變器、便攜式電源轉(zhuǎn)換設(shè)備等。
5. **電網(wǎng)設(shè)備和工業(yè)控制**
由于其高壓承受能力,K4198-VB 在電網(wǎng)調(diào)度設(shè)備和高壓工業(yè)控制中也具有廣泛的應(yīng)用。它可用于調(diào)節(jié)和控制高壓輸入和輸出,以確保設(shè)備的正常運(yùn)行與穩(wěn)定性。
K4198-VB 以其高壓、高可靠性的特點(diǎn),廣泛適用于多種高壓環(huán)境中,特別是在低功率但要求耐高壓的應(yīng)用場景中。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛