--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介 - K4199-VB
K4199-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,基于平面(Plannar)技術(shù)設(shè)計。該型號具有650V的漏源電壓(VDS)和4A的最大漏極電流(ID),專為高壓、低電流處理的應(yīng)用場景而設(shè)計。其導(dǎo)通電阻為2560mΩ(@ VGS=10V),主要用于需要高電壓耐受力和穩(wěn)健性能的電力轉(zhuǎn)換和電源管理場合,具有可靠的開關(guān)特性和較低的功耗。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:平面(Plannar)
K4199-VB的高耐壓和較低的導(dǎo)通電流適用于要求高電壓和穩(wěn)健性能的應(yīng)用場景,如電源轉(zhuǎn)換器和電源控制系統(tǒng)。
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**
K4199-VB廣泛應(yīng)用于高壓電源轉(zhuǎn)換器,尤其適合處理高電壓的輸入信號并將其轉(zhuǎn)換為較低電壓輸出。其650V的耐壓特性能夠在高壓電力系統(tǒng)中提供穩(wěn)定的轉(zhuǎn)換性能。
2. **照明驅(qū)動器**
在高壓照明驅(qū)動器中,K4199-VB可以用于高效的電源管理。其可靠的高電壓開關(guān)能力使其能夠在長時間運(yùn)行中確保燈具的穩(wěn)定工作。
3. **工業(yè)設(shè)備**
在工業(yè)環(huán)境中,K4199-VB適用于高壓電機(jī)驅(qū)動和工業(yè)電源管理應(yīng)用。其高耐壓特性使其在這些要求穩(wěn)健性和高可靠性的場景中表現(xiàn)出色。
4. **電池管理系統(tǒng)**
在電動汽車和儲能設(shè)備的電池管理系統(tǒng)中,K4199-VB MOSFET能夠有效處理電池組中的高壓部分,幫助控制功率流動,保證電池的充放電效率。
K4199-VB MOSFET適合應(yīng)用于高壓電源轉(zhuǎn)換器、照明驅(qū)動器、工業(yè)設(shè)備及電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域,能夠在高電壓條件下提供可靠的功率控制和電力管理。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它