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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K4A55D-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K4A55D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**

K4A55D-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。該MOSFET具有650V的擊穿電壓,適合用于高壓電源和開關(guān)電路。K4A55D-VB在VGS=10V時(shí)的導(dǎo)通電阻為2560mΩ,這使得其在運(yùn)行時(shí)保持較低的功耗。最大漏極電流為4A,結(jié)合其良好的熱性能,使其在多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中都能實(shí)現(xiàn)可靠的操作。這款器件采用平面工藝(Plannar)技術(shù),具有良好的開關(guān)特性,適用于多種電源管理和控制電路。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**

- **封裝類型**:TO220F  
- **極性**:?jiǎn)蜰溝道  
- **擊穿電壓 (VDS)**:650V  
- **柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 2560mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:4A  
- **技術(shù)工藝**:Plannar  

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:**

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:K4A55D-VB適用于高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器,能夠有效將輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓。其650V的高擊穿電壓使其能夠在高電壓環(huán)境中工作,廣泛應(yīng)用于電源模塊和電池管理系統(tǒng)中。

2. **開關(guān)電源**:在開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中,K4A55D-VB可用作主要開關(guān)元件,控制能量的傳輸和轉(zhuǎn)換。其低功耗和高電壓能力使其在提高開關(guān)電源效率方面表現(xiàn)出色,適合用于工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

3. **照明控制**:該MOSFET也適用于LED照明系統(tǒng)中的開關(guān)控制,特別是高壓LED驅(qū)動(dòng)電路。其高擊穿電壓和適中的導(dǎo)通電阻能夠保證LED的穩(wěn)定工作,提高照明系統(tǒng)的性能。

4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在高電壓的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,K4A55D-VB可以作為開關(guān)控制元件,適合用于電動(dòng)工具和家用電器的電動(dòng)機(jī)控制。其良好的導(dǎo)通特性和可靠的電流承載能力確保了電動(dòng)機(jī)的高效和穩(wěn)定運(yùn)行。

K4A55D-VB憑借其高電壓能力、良好的熱性能和廣泛的應(yīng)用適用性,成為現(xiàn)代電力電子設(shè)計(jì)中的重要器件。

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