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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K4A60DB-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K4A60DB-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介
K4A60DB-VB 是一款高壓N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)可達(dá)650V,使其非常適合用于需要處理高電壓的電源管理和開關(guān)電路。該器件的閾值電壓(Vth)為3.5V,確保了在低電壓下良好的開關(guān)性能。此外,K4A60DB-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為2560mΩ(在VGS為10V時),雖然相對較高,但仍能滿足低功率應(yīng)用的需求。其連續(xù)漏極電流(ID)高達(dá)4A,適用于各種電源轉(zhuǎn)換和控制場景。采用Plannar技術(shù),該器件具備較好的熱穩(wěn)定性和可靠性,非常適合在工業(yè)和消費電子領(lǐng)域中使用。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2560mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:Plannar
- **其他性能**:K4A60DB-VB 具有較好的電流承載能力和穩(wěn)定性,適合在高壓和低功耗的應(yīng)用中使用。

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
K4A60DB-VB 由于其高電壓和適中的電流處理能力,廣泛適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:該MOSFET可用于開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器,適合在需要高電壓轉(zhuǎn)換的場合,如工業(yè)電源和通信電源,幫助實現(xiàn)高效能的電力管理。

2. **家電控制**:在家電設(shè)備中,如微波爐、電冰箱等,K4A60DB-VB可用于電源管理和控制模塊,以確保設(shè)備在高電壓下安全可靠地運行。

3. **汽車電子**:該MOSFET適合用于汽車的電源分配和控制系統(tǒng),能夠在650V的高壓環(huán)境下提供穩(wěn)定的性能,廣泛應(yīng)用于電池管理和電源控制模塊。

4. **照明控制系統(tǒng)**:在高壓LED照明和燈具的驅(qū)動電路中,K4A60DB-VB可以用于實現(xiàn)高效的開關(guān)控制,降低功耗,提高系統(tǒng)的整體能效。

綜上所述,K4A60DB-VB 以其優(yōu)異的性能和廣泛的應(yīng)用范圍,成為高電壓電源管理和控制解決方案的理想選擇。

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