--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### K5A60-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
K5A60-VB 是一款高壓?jiǎn)?N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓和中等電流的應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為 650V,柵源電壓(VGS)為 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V。在 VGS 為 10V 時(shí),該器件的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ,支持最高 7A 的連續(xù)漏電流(ID)。K5A60-VB 采用了平面技術(shù)(Plannar),可提供可靠的性能與良好的熱管理,適合在高電壓開關(guān)電路和功率轉(zhuǎn)換器中使用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明:
1. **封裝:** TO220F – 提供良好的散熱性能,適合高功率應(yīng)用。
2. **配置:** 單 N 通道 – 適用于各種開關(guān)和功率調(diào)節(jié)應(yīng)用。
3. **VDS(漏源電壓):** 650V – 適合高壓環(huán)境。
4. **VGS(柵源電壓):** ±30V – 靈活的柵驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。
5. **Vth(閾值電壓):** 3.5V – 較低的開啟電壓,有助于驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。
6. **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):**
- 1100mΩ @ VGS = 10V – 在高壓條件下的低導(dǎo)通電阻,減少功率損耗。
7. **ID(連續(xù)漏電流):** 7A – 合理的電流處理能力,適用于中等負(fù)載應(yīng)用。
8. **技術(shù):** 平面(Plannar)– 這種技術(shù)提供了可靠的性能,適合廣泛的應(yīng)用。
### 應(yīng)用示例:
K5A60-VB MOSFET 的高壓能力和適中的電流處理能力,使其適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **開關(guān)電源(SMPS):** 在開關(guān)電源中,K5A60-VB 能夠有效地控制功率轉(zhuǎn)換,適用于電源適配器和充電器等設(shè)備,以提高能效并降低熱損耗。
- **工業(yè)設(shè)備:** 此 MOSFET 可以應(yīng)用于各類工業(yè)控制系統(tǒng)中,如電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源控制和自動(dòng)化設(shè)備,確保高效、可靠的操作。
- **家電產(chǎn)品:** 適合在高電壓環(huán)境中運(yùn)行的家電產(chǎn)品,例如洗衣機(jī)、空調(diào)等設(shè)備的功率控制部分,保證設(shè)備的安全和高效運(yùn)行。
- **光伏逆變器:** 在太陽(yáng)能光伏逆變器中,K5A60-VB 可用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,提升系統(tǒng)整體能效并增強(qiáng)可靠性。
- **照明控制系統(tǒng):** 該器件也適用于各種照明系統(tǒng),尤其是在需要高壓和高效能的場(chǎng)合,如LED驅(qū)動(dòng)電路等。
綜上所述,K5A60-VB MOSFET 以其優(yōu)良的高壓特性和適中的電流能力,非常適合在開關(guān)電源、工業(yè)設(shè)備、家電產(chǎn)品及光伏逆變器等多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用。
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