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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K6A50DA4-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K6A50DA4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K6A50DA4-VB 產(chǎn)品簡介

K6A50DA4-VB 是一款高性能的單N通道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高壓應(yīng)用而設(shè)計。該器件的漏極-源極耐壓(VDS)達(dá)到650V,能夠適應(yīng)嚴(yán)苛的電氣環(huán)境。其柵源電壓(VGS)范圍為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V,使得它可以在較低的驅(qū)動電壓下有效工作。K6A50DA4-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1100mΩ(在VGS=10V時),確保其在開關(guān)操作中的良好導(dǎo)電性能。該MOSFET最大漏極電流(ID)為7A,采用平面(Plannar)技術(shù),具備較高的電流處理能力和熱穩(wěn)定性,適合用于多種高功率和高電壓的應(yīng)用場合。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: K6A50DA4-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N通道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)類型**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

K6A50DA4-VB MOSFET因其高耐壓和良好的性能,廣泛應(yīng)用于多個行業(yè)和模塊,主要包括:

1. **電源管理系統(tǒng)**: K6A50DA4-VB 非常適合用于開關(guān)電源、直流-直流變換器和高壓電源模塊,能夠高效地處理電源轉(zhuǎn)換,確保系統(tǒng)的高效和可靠運行。

2. **電動機(jī)控制**: 在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,該MOSFET可作為高壓開關(guān),用于驅(qū)動直流電動機(jī)、步進(jìn)電機(jī)和無刷電機(jī),提高其控制精度和響應(yīng)速度,適用于自動化設(shè)備和機(jī)器人系統(tǒng)。

3. **工業(yè)設(shè)備**: K6A50DA4-VB 可在工業(yè)設(shè)備中用于功率放大器和高壓開關(guān)電路,滿足工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)的需求,確保設(shè)備在嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運行。

4. **照明應(yīng)用**: 該器件適合用于LED驅(qū)動電路和高壓照明系統(tǒng),通過高效開關(guān)實現(xiàn)良好的亮度控制,適應(yīng)現(xiàn)代照明技術(shù)的需求。

5. **電池管理系統(tǒng)**: K6A50DA4-VB 也可以用于電池充電器和保護(hù)電路,能夠承受高壓,確保電池組在充放電時的安全性和穩(wěn)定性,特別是在電動車和儲能系統(tǒng)中表現(xiàn)突出。

K6A50DA4-VB 具備高電壓、高效率的特性,能夠滿足各種高功率應(yīng)用的需求,為設(shè)計工程師提供了可靠的解決方案。

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