--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### K6A50D-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K6A50D-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件的漏源極電壓 (VDS) 高達(dá) 650V,最大漏極電流 (ID) 為 7A,適合多種電源管理、開關(guān)和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。K6A50D-VB 在 VGS=10V 時(shí)的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 1100mΩ,保證了低功耗和高效能的開關(guān)操作。其使用的 Plannar 技術(shù)提高了整體的導(dǎo)通性能和可靠性,適合在電力電子設(shè)備中發(fā)揮作用。
### K6A50D-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220F
- **溝道類型**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:7A
- **技術(shù)**:Plannar(平面技術(shù))
### K6A50D-VB 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
1. **電源管理系統(tǒng)**:K6A50D-VB 非常適合用于電源管理應(yīng)用,如開關(guān)電源(SMPS)和逆變器。這款MOSFET 可以有效地管理和調(diào)節(jié)電流,確保在高電壓操作下的可靠性和效率,適用于電源適配器、充電器和電力轉(zhuǎn)換設(shè)備等。
2. **電動(dòng)工具**:在電動(dòng)工具中,該MOSFET 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。它的高電壓和中等電流能力使其能夠在嚴(yán)苛的工作條件下提供穩(wěn)定的性能,適合于電動(dòng)鉆、鋸和其他電動(dòng)設(shè)備。
3. **汽車電子**:K6A50D-VB 適用于汽車電子系統(tǒng)中的電源調(diào)節(jié)和電池管理。這使其能夠在車載充電器、動(dòng)力總成控制和其他關(guān)鍵電子模塊中實(shí)現(xiàn)高效能和可靠性。
4. **LED驅(qū)動(dòng)應(yīng)用**:在LED照明和顯示控制方面,這款MOSFET 也能發(fā)揮重要作用。其低導(dǎo)通電阻和高電壓特性使其適合于驅(qū)動(dòng)高功率LED,從而確保穩(wěn)定的光輸出和良好的熱管理。
5. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:K6A50D-VB 適合用于各種工業(yè)控制系統(tǒng),包括可編程邏輯控制器(PLC)和伺服控制系統(tǒng)。由于其高電壓能力,該MOSFET 可以在電機(jī)控制和自動(dòng)化設(shè)備中確保高效的開關(guān)操作,提高整個(gè)系統(tǒng)的效率。
K6A50D-VB 以其出色的性能和廣泛的適用性,成為電力電子和自動(dòng)化領(lǐng)域的重要選擇,支持多種高電壓和中等電流的應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛