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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K6A53DA4-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K6A53DA4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

K6A53DA4-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,封裝采用TO220F,具有650V的高擊穿電壓和7A的最大漏極電流,專為需要高電壓和高電流的應用而設(shè)計。其最大導通電阻(RDS(ON)為1100mΩ @ VGS=10V)使其在電源開關(guān)和控制應用中展現(xiàn)出卓越的熱管理能力。K6A53DA4-VB廣泛應用于電源管理、開關(guān)電源、逆變器等領(lǐng)域,是實現(xiàn)高效率和穩(wěn)定性的理想選擇。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220F  
- **極性**:單N溝道  
- **擊穿電壓 (VDS)**:650V  
- **柵極驅(qū)動電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 1100mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:7A  
- **技術(shù)工藝**:Plannar  

### 應用領(lǐng)域和模塊

1. **開關(guān)電源**:K6A53DA4-VB在開關(guān)電源設(shè)計中廣泛應用。由于其高擊穿電壓和低導通電阻,該器件能有效減少開關(guān)損耗,提升整體轉(zhuǎn)換效率,使其適用于各種電子設(shè)備的電源供應,如計算機電源和工業(yè)設(shè)備。

2. **逆變器**:該MOSFET在逆變器應用中表現(xiàn)突出,能夠處理較高的電壓和電流,適合用于太陽能逆變器和風力發(fā)電系統(tǒng)等可再生能源應用。它的高效率特性有助于優(yōu)化能量轉(zhuǎn)換,提升系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

3. **電機驅(qū)動**:在電動機控制和驅(qū)動應用中,K6A53DA4-VB可用作開關(guān)元件,尤其是在需要高電壓和電流的場合,如電動工具、家用電器和工業(yè)自動化設(shè)備的驅(qū)動系統(tǒng)。

4. **高壓電子設(shè)備**:該器件也適用于高壓電子設(shè)備,如高壓電源模塊和電子變壓器等。其高耐壓特性確保在高壓工作環(huán)境下的穩(wěn)定性和安全性,適合用于對電壓敏感的應用領(lǐng)域。

K6A53DA4-VB憑借其卓越的性能和廣泛的應用領(lǐng)域,為設(shè)計人員提供了可靠的解決方案,是實現(xiàn)高效能電路設(shè)計的優(yōu)選器件。

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