--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品簡介**
K6A60-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單 N 溝道 MOSFET,專為高壓開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。該器件具有 650V 的漏極-源極電壓(VDS)和 ±30V 的柵極-源極電壓(VGS),能夠承受高壓工作環(huán)境下的電氣應(yīng)力。其 3.5V 的閾值電壓(Vth)和 1100mΩ 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))確保了在開關(guān)應(yīng)用中的高效率操作。此外,該器件采用了平面工藝技術(shù),保證了穩(wěn)定的電氣性能。此器件的最大漏極電流(ID)為 7A,適合在各種中高功率應(yīng)用中使用。
**詳細(xì)參數(shù)說明**
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:單 N 溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:7A
- **技術(shù)類型**:平面工藝
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C
- **功耗(Ptot)**:120W
- **擊穿電壓**:650V
- **最大功耗**:120W
**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例**
1. **開關(guān)電源模塊**:K6A60-VB 常用于高壓開關(guān)電源,如工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器、服務(wù)器電源等。其 650V 的 VDS 能滿足高電壓應(yīng)用需求,而較低的 RDS(ON) 保證了開關(guān)的高效率和低損耗。
2. **照明設(shè)備**:由于該 MOSFET 能在高電壓下穩(wěn)定工作,因此適用于 LED 驅(qū)動器和 HID 照明系統(tǒng)中的高壓調(diào)節(jié)和驅(qū)動電路。
3. **電機(jī)驅(qū)動**:K6A60-VB 適合用于小型和中型電機(jī)的控制模塊,特別是在需要高壓隔離和高效電流控制的場合,如家電和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器。
4. **電能計量**:其高電壓耐受特性使其可用于電能表和其他需要耐高壓的計量設(shè)備中,確保長期可靠性和穩(wěn)定性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12