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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K6A60W-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K6A60W-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**K6A60W-VB MOSFET 產品簡介:**

K6A60W-VB 是一款高壓 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO220F,專為電力開關應用而設計。其 VDS(漏極-源極電壓)高達 650V,適用于需要強大電壓處理能力和低功耗的電路。該 MOSFET 最大漏極電流(ID)為 12A,并在 VGS(柵極-源極電壓)為 10V 時具有 680mΩ 的 RDS(ON),確保高效開關操作且降低導通損耗。其平面技術為高功率應用提供了平衡的性能,在效率和耐用性方面至關重要。

**詳細參數說明:**
- **封裝:** TO220F,適用于高功率應用的完全隔離封裝,提供良好的熱耗散性能和便于安裝的特性。
- **配置:** 單 N 溝道,表示它利用單個 N 溝道類型的 MOSFET,電流從漏極流向源極。
- **VDS(漏源電壓):** 650V,指 MOSFET 在關閉狀態(tài)下,漏極和源極之間可以承受的最大電壓。
- **VGS(柵源電壓):** ±30V,指定 MOSFET 可以承受的最大柵極電壓(正負方向)。
- **Vth(閾值電壓):** 3.5V,開啟 MOSFET 并開始導通所需的柵源電壓。
- **RDS(ON)(導通電阻):** 680mΩ @ VGS=10V,表示 MOSFET 在開啟狀態(tài)下,漏極與源極之間的電阻,影響導通損耗。
- **ID(漏極電流):** 12A,MOSFET 可以承受的最大連續(xù)電流。
- **技術:** 平面 MOSFET,成熟且可靠的技術,適用于高功率應用。

**應用實例:**

1. **電源:** K6A60W-VB 可用于 **開關模式電源(SMPS)**,尤其是在高壓部分。其 650V 的高 VDS 使其非常適合在功率轉換階段的快速高效開關。

2. **工業(yè)電動機驅動:** 此 MOSFET 適用于 **工業(yè)電動機控制系統(tǒng)**,在這些系統(tǒng)中高電壓是常見的,并且需要可靠的開關。其能夠處理高達 12A 的電流,適合用于驅動制造設備的電動機的電源電路中。

3. **逆變器:** 在 **太陽能系統(tǒng)** 或 **不間斷電源(UPS)** 中,K6A60W-VB 可用于逆變模塊。它幫助將太陽能電池板或電池中的直流電轉換為交流電,能夠處理這些能量轉換過程中的高電壓和電流需求。

4. **高壓照明系統(tǒng):** 此 MOSFET 可用于 **高壓照明電路**,如 **LED 驅動器** 或 **熒光燈鎮(zhèn)流器**。其 650V 的擊穿電壓確保其可以安全控制高壓照明系統(tǒng)的電源。

這些領域和應用受益于 MOSFET 在高電壓和電流下高效開關的能力,同時在苛刻環(huán)境中保持耐用性。

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