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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K6A65D-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K6A65D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、K6A65D-VB產(chǎn)品簡介:**

K6A65D-VB是一款單通道N溝道MOSFET,封裝采用TO220F,專為高壓應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為650V,柵源電壓(VGS)為±30V,啟用電壓(Vth)為3.5V,導通電阻(RDS(ON))為1100mΩ(@VGS=10V),最大電流(ID)為7A。采用平面型(Plannar)技術(shù)工藝,確保器件在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運行,提供高效的開關(guān)性能和功耗控制。

**二、K6A65D-VB詳細參數(shù)說明:**

1. **封裝類型**:TO220F
2. **配置**:單N溝道
3. **最大漏源電壓(VDS)**:650V
4. **柵源電壓(VGS)**:±30V
5. **閾值電壓(Vth)**:3.5V
6. **導通電阻(RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
7. **最大漏極電流(ID)**:7A
8. **最大功耗(Ptot)**:70W
9. **工作溫度范圍**:-55°C至150°C
10. **技術(shù)**:平面型(Plannar)結(jié)構(gòu),支持高壓應(yīng)用
11. **最大脈沖漏極電流(IDM)**:28A

**三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:**

1. **電源轉(zhuǎn)換與管理**:K6A65D-VB非常適用于高壓電源轉(zhuǎn)換器和電源管理模塊,如AC/DC電源適配器、開關(guān)電源(SMPS)等。它能夠在這些模塊中處理高電壓并實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。

2. **電機驅(qū)動器**:這款MOSFET適合電機控制和驅(qū)動應(yīng)用,特別是工業(yè)設(shè)備中的高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)。在這些應(yīng)用中,K6A65D-VB的高電壓和耐高電流能力可以提供可靠的控制和穩(wěn)定的工作性能。

3. **工業(yè)自動化與控制**:在工業(yè)自動化設(shè)備中,K6A65D-VB可以用作功率開關(guān),幫助實現(xiàn)設(shè)備的自動化操作。它能夠在高電壓下進行穩(wěn)定的開關(guān)操作,確保設(shè)備的可靠性和效率。

4. **照明系統(tǒng)**:尤其是高功率LED驅(qū)動器和照明控制系統(tǒng)中,該MOSFET的高壓耐受性可幫助有效調(diào)節(jié)和控制LED光源的驅(qū)動電流,提升系統(tǒng)效率和壽命。

K6A65D-VB以其高電壓耐受能力和穩(wěn)定的工作性能,廣泛應(yīng)用于上述領(lǐng)域,適用于需要可靠高壓控制的模塊。

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