--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### K7A45DA-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
K7A45DA-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,設(shè)計(jì)用于要求高耐壓和良好導(dǎo)通性能的應(yīng)用場景。該器件采用TO220F封裝,具有650V的漏源電壓(VDS)和±30V的柵極電壓(VGS),使其在高壓環(huán)境中表現(xiàn)出色。閾值電壓(Vth)為3.5V,確保在適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動下能夠迅速導(dǎo)通。該MOSFET在VGS為10V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1100mΩ,最大漏極電流(ID)為7A。由于其平面工藝(Plannar)技術(shù),K7A45DA-VB 在高效電源管理和工業(yè)控制領(lǐng)域廣受歡迎。
### K7A45DA-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:7A
- **技術(shù)**:平面工藝 (Plannar)
- **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **開關(guān)電源 (SMPS)**:K7A45DA-VB 因其高耐壓和優(yōu)良的導(dǎo)通性能,適用于開關(guān)電源設(shè)計(jì),尤其是在高電壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,能夠提高整體系統(tǒng)的效率并降低熱損耗。
2. **電機(jī)控制**:在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動中,該MOSFET可以用作電源開關(guān),650V的高耐壓確保了電機(jī)在啟動和運(yùn)行過程中的安全和穩(wěn)定性,同時(shí)7A的電流能力也滿足了大多數(shù)電機(jī)控制需求。
3. **逆變器應(yīng)用**:K7A45DA-VB 適合用于光伏逆變器和UPS系統(tǒng),能夠高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高電壓和電流處理能力確保了逆變器在不間斷電源中提供穩(wěn)定的輸出。
4. **電力電子設(shè)備**:在電力電子設(shè)備中,該MOSFET可用于各種高壓開關(guān)應(yīng)用,如電磁閥控制和電源調(diào)節(jié)器,憑借其穩(wěn)定的性能,能夠提高設(shè)備的可靠性和響應(yīng)速度。
K7A45DA-VB 的設(shè)計(jì)理念和技術(shù)特性使其成為現(xiàn)代高壓應(yīng)用中不可或缺的元器件,能夠有效滿足各類電源管理和工業(yè)控制需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛