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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K7A45DA-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K7A45DA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K7A45DA-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
K7A45DA-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,設(shè)計(jì)用于要求高耐壓和良好導(dǎo)通性能的應(yīng)用場景。該器件采用TO220F封裝,具有650V的漏源電壓(VDS)和±30V的柵極電壓(VGS),使其在高壓環(huán)境中表現(xiàn)出色。閾值電壓(Vth)為3.5V,確保在適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動下能夠迅速導(dǎo)通。該MOSFET在VGS為10V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1100mΩ,最大漏極電流(ID)為7A。由于其平面工藝(Plannar)技術(shù),K7A45DA-VB 在高效電源管理和工業(yè)控制領(lǐng)域廣受歡迎。

### K7A45DA-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:7A
- **技術(shù)**:平面工藝 (Plannar)
- **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **開關(guān)電源 (SMPS)**:K7A45DA-VB 因其高耐壓和優(yōu)良的導(dǎo)通性能,適用于開關(guān)電源設(shè)計(jì),尤其是在高電壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,能夠提高整體系統(tǒng)的效率并降低熱損耗。

2. **電機(jī)控制**:在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動中,該MOSFET可以用作電源開關(guān),650V的高耐壓確保了電機(jī)在啟動和運(yùn)行過程中的安全和穩(wěn)定性,同時(shí)7A的電流能力也滿足了大多數(shù)電機(jī)控制需求。

3. **逆變器應(yīng)用**:K7A45DA-VB 適合用于光伏逆變器和UPS系統(tǒng),能夠高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高電壓和電流處理能力確保了逆變器在不間斷電源中提供穩(wěn)定的輸出。

4. **電力電子設(shè)備**:在電力電子設(shè)備中,該MOSFET可用于各種高壓開關(guān)應(yīng)用,如電磁閥控制和電源調(diào)節(jié)器,憑借其穩(wěn)定的性能,能夠提高設(shè)備的可靠性和響應(yīng)速度。

K7A45DA-VB 的設(shè)計(jì)理念和技術(shù)特性使其成為現(xiàn)代高壓應(yīng)用中不可或缺的元器件,能夠有效滿足各類電源管理和工業(yè)控制需求。

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