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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K7A50D-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K7A50D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡介**  
K7A50D-VB 是一款高壓單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝設(shè)計。該器件的漏極-源極電壓(VDS)高達 650V,使其特別適用于高壓應(yīng)用。其柵極-源極電壓(VGS)為 ±30V,確保了在各種操作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。K7A50D-VB 的閾值電壓(Vth)為 3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ(@ VGS=10V),能夠在高電流條件下有效降低功耗。最大漏極電流(ID)為 7A,適合中等功率的應(yīng)用。這款 MOSFET 采用平面技術(shù)(Plannar),能夠提供良好的電氣性能和熱管理。

**詳細參數(shù)說明**  
- **封裝類型**:TO220F  
- **配置**:單 N 溝道  
- **漏極-源極電壓(VDS)**:650V  
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±30V  
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流(ID)**:7A  
- **技術(shù)類型**:平面工藝(Plannar)  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C  
- **功耗(Ptot)**:120W  
- **擊穿電壓**:650V  
- **最大功耗**:120W  

**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例**  
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:K7A50D-VB 適合用于高壓電源轉(zhuǎn)換器,例如開關(guān)電源和逆變器。在這些應(yīng)用中,其高漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻能夠有效提升能效,減少能量損耗。

2. **照明驅(qū)動**:該 MOSFET 可以用于高壓照明設(shè)備的驅(qū)動,如 HID 燈和 LED 照明系統(tǒng),能夠確保在高電壓下穩(wěn)定工作,提供可靠的電流控制。

3. **工業(yè)自動化**:K7A50D-VB 常見于工業(yè)自動化設(shè)備中的電機驅(qū)動和控制模塊,適用于需要高壓和高電流控制的場合,例如自動化機械手臂和輸送系統(tǒng)。

4. **電能計量設(shè)備**:由于其高電壓耐受能力,K7A50D-VB 也適用于電能表和電能監(jiān)測設(shè)備,幫助實現(xiàn)精確的電能計量和管理,確保設(shè)備長期穩(wěn)定運行。

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