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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K897-MR-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K897-MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
K897-MR-VB 是一款高壓?jiǎn)?N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)可達(dá) 650V,柵源電壓(VGS)為 ±30V,具備優(yōu)異的耐壓特性。K897-MR-VB 采用平面(Plannar)技術(shù),確保其在高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定性與可靠性。在 VGS=10V 時(shí),其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ,額定電流(ID)為 7A,適用于對(duì)功率管理要求較高的應(yīng)用場(chǎng)合。其門(mén)檻電壓(Vth)為 3.5V,使其在廣泛的工作條件下都能保持良好的開(kāi)關(guān)性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- **封裝類型**: TO220F
- **極性**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **門(mén)檻電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)**: Plannar 技術(shù)
- **柵極電荷 (Qg)**: 適合快速切換應(yīng)用
- **熱阻 (RthJC)**: TO220F 封裝下良好的熱管理性能

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:
K897-MR-VB 由于其高耐壓和穩(wěn)定性,適用于多個(gè)行業(yè)和應(yīng)用領(lǐng)域,主要包括:

1. **開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**:K897-MR-VB 是高壓開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中的理想選擇,能夠高效轉(zhuǎn)換電能,常用于 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、充電器及電信設(shè)備。

2. **LED 驅(qū)動(dòng)電源**:在 LED 照明應(yīng)用中,該 MOSFET 能夠驅(qū)動(dòng)高功率 LED 模塊,確保穩(wěn)定的電流輸出,適用于商業(yè)照明和戶外燈具。

3. **電動(dòng)機(jī)控制**:K897-MR-VB 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,支持大功率電機(jī)的平穩(wěn)啟動(dòng)和調(diào)速,常見(jiàn)于家電、自動(dòng)化設(shè)備和電動(dòng)工具等領(lǐng)域。

4. **電力電子設(shè)備**:在電力電子模塊中,K897-MR-VB 可作為電源開(kāi)關(guān),廣泛應(yīng)用于逆變器和整流器,能夠在高電壓環(huán)境下有效控制電能的轉(zhuǎn)換。

K897-MR-VB 是一款性能可靠的高壓 MOSFET,能夠在各種高電壓和中等電流應(yīng)用中提供優(yōu)異的性能,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的需求。

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