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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K8A45D-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K8A45D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 — K8A45D-VB MOSFET

K8A45D-VB 是一款高電壓?jiǎn)螛O性N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,具有650V的最大漏源電壓和±30V的柵源電壓耐受能力。該器件的閾值電壓為3.5V,適合在較高的柵電壓下工作。K8A45D-VB 采用Plannar技術(shù),具有較高的耐壓能力與相對(duì)較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為680mΩ@VGS=10V),能夠承受高達(dá)12A的漏極電流。該MOSFET 在高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色,廣泛應(yīng)用于電源管理和開關(guān)電源等領(lǐng)域,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和可靠性的需求。

### 詳細(xì)參數(shù)說明 — K8A45D-VB MOSFET

- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)我籒溝道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 680mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:12A
- **技術(shù)類型**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高壓開關(guān)電源(High Voltage Switching Power Supplies)**  
  K8A45D-VB 在高壓開關(guān)電源中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠承受650V的高電壓,適合作為主開關(guān)元件。這種高電壓能力使其適合于工業(yè)電源和電力電子設(shè)備,能夠?qū)崿F(xiàn)高效能的電源轉(zhuǎn)換,降低能量損耗。

2. **電動(dòng)汽車電源管理(Electric Vehicle Power Management)**  
  由于其高耐壓特性,K8A45D-VB 也適用于電動(dòng)汽車的電源管理系統(tǒng)。這款MOSFET 可以用于電池管理和充電系統(tǒng),有效控制電流,確保充電過程的安全性和效率。

3. **逆變器(Inverters)**  
  K8A45D-VB 可廣泛應(yīng)用于各種逆變器中,包括太陽能逆變器和UPS系統(tǒng)。其高電壓和高電流能力使其能夠處理高功率負(fù)載,確保逆變器在不同工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

4. **工業(yè)設(shè)備(Industrial Equipment)**  
  在各類工業(yè)設(shè)備中,K8A45D-VB 可用于高壓開關(guān)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。其優(yōu)良的導(dǎo)通特性和高耐壓能力,能夠滿足現(xiàn)代工業(yè)設(shè)備在高壓和高功率應(yīng)用中的需求,為各種控制系統(tǒng)提供強(qiáng)有力的支持。

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