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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K8A50D-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K8A50D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介 - K8A50D-VB

K8A50D-VB是一款單N溝道的功率MOSFET,采用TO220F封裝,具有出色的耐高壓能力和低導(dǎo)通電阻。其最大漏源電壓為650V,柵源電壓為±30V,能夠承受較高的開關(guān)電壓。這款MOSFET采用平面技術(shù),具有較高的開關(guān)速度和良好的熱性能,適合于要求耐壓和效率的應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻為680mΩ@VGS=10V,最大連續(xù)漏極電流為12A,適合高壓功率管理和開關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明 - K8A50D-VB

- **型號**: K8A50D-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓** (VDS): 650V
- **最大柵源電壓** (VGS): ±30V
- **閾值電壓** (Vth): 3.5V
- **導(dǎo)通電阻** (RDS(ON)): 680mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流** (ID): 12A
- **技術(shù)**: 平面MOSFET技術(shù)
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **功耗**: 根據(jù)散熱設(shè)計(jì)可提供高達(dá)一定范圍的功率處理能力
- **開關(guān)速度**: 快速切換時(shí)間,適合高頻應(yīng)用

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**: K8A50D-VB適合用于電源管理中的高壓開關(guān)電路,例如AC-DC電源適配器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。由于其650V的耐壓性能,它能夠承受工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中常見的高電壓情況。

2. **照明驅(qū)動器**: 在LED驅(qū)動電路中,K8A50D-VB可用于控制高電壓照明設(shè)備,提供高效的開關(guān)能力,減少功耗。特別適合需要高壓輸出的商業(yè)照明和工業(yè)照明系統(tǒng)。

3. **電機(jī)控制**: 該器件在電機(jī)驅(qū)動模塊中表現(xiàn)良好,尤其適合用于電機(jī)控制中的高壓驅(qū)動和保護(hù)電路。它的650V耐壓特性使其在工業(yè)電機(jī)和家電電機(jī)驅(qū)動中具有優(yōu)越的可靠性。

4. **逆變器和變頻器**: K8A50D-VB在逆變器和變頻器應(yīng)用中可用于高壓開關(guān)和電能轉(zhuǎn)換。它能夠處理太陽能發(fā)電系統(tǒng)、UPS不間斷電源系統(tǒng)和工業(yè)逆變器等設(shè)備中的高壓轉(zhuǎn)換需求。

通過其廣泛的適用性和優(yōu)越的電氣性能,K8A50D-VB MOSFET在這些高壓電源管理和開關(guān)應(yīng)用中提供了高效率和可靠性。

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