--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品簡(jiǎn)介**
K8A55DA-VB 是一款高壓?jiǎn)?N 溝道 MOSFET,專為高壓和高效應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏極-源極電壓(VDS)高達(dá) 650V,能夠應(yīng)對(duì)高壓環(huán)境中的開關(guān)操作,柵極-源極電壓(VGS)為 ±30V,提供穩(wěn)定的工作電壓范圍。該 MOSFET 采用平面(Plannar)技術(shù),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ(@ VGS=10V),在確保高電壓能力的同時(shí)也優(yōu)化了開關(guān)效率和導(dǎo)通損耗。最大漏極電流(ID)為 7A,非常適合中等功率的應(yīng)用。TO220F 封裝具有優(yōu)良的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)度,適合工業(yè)和電力應(yīng)用中的可靠高壓開關(guān)需求。
**詳細(xì)參數(shù)說明**
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:7A
- **技術(shù)類型**:平面技術(shù)(Plannar)
- **功耗(Ptot)**:120W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C
- **開關(guān)速度**:適中
- **封裝散熱性能**:優(yōu)異
**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例**
1. **電源轉(zhuǎn)換與高壓開關(guān)電源**:K8A55DA-VB 非常適合用于高壓開關(guān)電源(SMPS)和電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。其 650V 的高耐壓能力使其能夠在電力轉(zhuǎn)換和功率因數(shù)校正(PFC)模塊中發(fā)揮作用,提供高效的電能傳輸并減少損耗。
2. **工業(yè)自動(dòng)化控制**:在工業(yè)設(shè)備和自動(dòng)化系統(tǒng)中,K8A55DA-VB 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、變頻器和伺服控制系統(tǒng)。這些應(yīng)用對(duì)高壓和高效率要求較高,該 MOSFET 的高壓能力能夠確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行和較低的功耗。
3. **照明系統(tǒng)**:適用于高壓 LED 照明驅(qū)動(dòng)和HID(高強(qiáng)度放電燈)照明電源。其高耐壓特性使其在照明控制系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,確保燈具的穩(wěn)定驅(qū)動(dòng),同時(shí)降低系統(tǒng)中的能量損失。
4. **新能源設(shè)備**:在新能源領(lǐng)域,K8A55DA-VB 可用于太陽能逆變器和風(fēng)力發(fā)電控制模塊,幫助處理高壓輸入并確保能量高效轉(zhuǎn)換,提升系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性和可靠性。**產(chǎn)品簡(jiǎn)介**
K8A55DA-VB 是一款高壓?jiǎn)?N 溝道 MOSFET,專為高壓和高效應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏極-源極電壓(VDS)高達(dá) 650V,能夠應(yīng)對(duì)高壓環(huán)境中的開關(guān)操作,柵極-源極電壓(VGS)為 ±30V,提供穩(wěn)定的工作電壓范圍。該 MOSFET 采用平面(Plannar)技術(shù),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ(@ VGS=10V),在確保高電壓能力的同時(shí)也優(yōu)化了開關(guān)效率和導(dǎo)通損耗。最大漏極電流(ID)為 7A,非常適合中等功率的應(yīng)用。TO220F 封裝具有優(yōu)良的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)度,適合工業(yè)和電力應(yīng)用中的可靠高壓開關(guān)需求。
**詳細(xì)參數(shù)說明**
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:7A
- **技術(shù)類型**:平面技術(shù)(Plannar)
- **功耗(Ptot)**:120W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C
- **開關(guān)速度**:適中
- **封裝散熱性能**:優(yōu)異
**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例**
1. **電源轉(zhuǎn)換與高壓開關(guān)電源**:K8A55DA-VB 非常適合用于高壓開關(guān)電源(SMPS)和電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。其 650V 的高耐壓能力使其能夠在電力轉(zhuǎn)換和功率因數(shù)校正(PFC)模塊中發(fā)揮作用,提供高效的電能傳輸并減少損耗。
2. **工業(yè)自動(dòng)化控制**:在工業(yè)設(shè)備和自動(dòng)化系統(tǒng)中,K8A55DA-VB 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、變頻器和伺服控制系統(tǒng)。這些應(yīng)用對(duì)高壓和高效率要求較高,該 MOSFET 的高壓能力能夠確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行和較低的功耗。
3. **照明系統(tǒng)**:適用于高壓 LED 照明驅(qū)動(dòng)和HID(高強(qiáng)度放電燈)照明電源。其高耐壓特性使其在照明控制系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,確保燈具的穩(wěn)定驅(qū)動(dòng),同時(shí)降低系統(tǒng)中的能量損失。
4. **新能源設(shè)備**:在新能源領(lǐng)域,K8A55DA-VB 可用于太陽能逆變器和風(fēng)力發(fā)電控制模塊,幫助處理高壓輸入并確保能量高效轉(zhuǎn)換,提升系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性和可靠性。
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