--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:
K949-VB 是一款高壓單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為需要高耐壓和中等電流的應(yīng)用而設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)達到 650V,柵源電壓(VGS)為 ±30V,具備優(yōu)秀的耐壓特性。K949-VB 采用 Plannar 技術(shù),確保在高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定性與可靠性。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ@VGS=10V,額定漏極電流(ID)為 7A,適合多種功率管理應(yīng)用,尤其是在高壓開關(guān)和電源轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)異。
### 詳細參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO220F
- **極性**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **門檻電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)**: Plannar 技術(shù)
- **熱阻 (RthJC)**: 優(yōu)良的熱管理性能,適合高功率應(yīng)用
- **開關(guān)特性**: 優(yōu)化的開關(guān)速度,適合快速切換電路
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊:
K949-VB 由于其高耐壓和可靠性,適用于多個行業(yè)和應(yīng)用領(lǐng)域,主要包括:
1. **開關(guān)電源(SMPS)**:K949-VB 是高壓開關(guān)電源設(shè)計中的理想選擇,廣泛應(yīng)用于電源適配器、LED 驅(qū)動電源等,能夠高效地將 AC 電源轉(zhuǎn)換為 DC 電源,確保高能效和穩(wěn)定性。
2. **電動機驅(qū)動**:在電動機控制系統(tǒng)中,K949-VB 能夠有效控制電機的啟動和運行,適用于家用電器、工業(yè)設(shè)備等,如電風扇、泵和壓縮機,提升電機的運行效率。
3. **逆變器**:在可再生能源領(lǐng)域,如太陽能逆變器中,K949-VB 可用于控制從光伏組件到電網(wǎng)的電能轉(zhuǎn)換,適應(yīng)高電壓和中等電流的工作環(huán)境。
4. **電力電子設(shè)備**:該 MOSFET 適合在高壓電力電子模塊中使用,如變換器和整流器,能夠在高電壓條件下可靠地進行電源管理,滿足電力行業(yè)對高效能和高可靠性的需求。
K949-VB 是一款高壓、高性能的 MOSFET,在多種電源管理和電動機驅(qū)動應(yīng)用中提供了出色的性能,確保設(shè)備的穩(wěn)定與高效運行。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12