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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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KF10N60FR-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: KF10N60FR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介 - KF10N60FR-VB

KF10N60FR-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為需要高壓和高效率的應(yīng)用而設(shè)計。該器件的最大漏源電壓為650V,柵源電壓范圍為±30V,能夠在高電壓環(huán)境中穩(wěn)定工作。其閾值電壓為3.5V,確保在低電壓驅(qū)動下可靠導(dǎo)通。MOSFET的導(dǎo)通電阻為680mΩ@VGS=10V,最大漏極電流為12A,適合多種高壓開關(guān)和電源管理應(yīng)用。KF10N60FR-VB采用平面技術(shù),具有良好的熱特性,能夠在苛刻條件下運(yùn)行。

### 詳細(xì)參數(shù)說明 - KF10N60FR-VB

- **型號**: KF10N60FR-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓** (VDS): 650V
- **最大柵源電壓** (VGS): ±30V
- **閾值電壓** (Vth): 3.5V
- **導(dǎo)通電阻** (RDS(ON)): 680mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流** (ID): 12A
- **技術(shù)**: 平面技術(shù)
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **功耗**: 根據(jù)散熱設(shè)計可處理的功率能力
- **開關(guān)速度**: 適合高頻應(yīng)用

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理系統(tǒng)**: KF10N60FR-VB非常適合用于高壓電源管理系統(tǒng),如開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其650V的耐壓能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效管理電能,降低能量損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動**: 在電機(jī)控制應(yīng)用中,KF10N60FR-VB可用于驅(qū)動高壓電機(jī),如無刷直流電機(jī)(BLDC)和交流感應(yīng)電機(jī)。由于其高漏極電流能力和低導(dǎo)通損耗,能夠提升電機(jī)的運(yùn)行效率,減少熱量生成,延長電機(jī)的使用壽命。

3. **逆變器應(yīng)用**: KF10N60FR-VB適合用于太陽能逆變器和UPS(不間斷電源)系統(tǒng),能夠承受高電壓并確保高效的能量轉(zhuǎn)換。它的高壓耐受能力和出色的導(dǎo)通性能使其在高壓逆變器中成為理想的開關(guān)器件。

4. **照明控制**: 該MOSFET也可用于高壓照明控制系統(tǒng),特別是在商業(yè)和工業(yè)照明應(yīng)用中。其優(yōu)異的開關(guān)特性能夠有效調(diào)節(jié)照明設(shè)備的開關(guān)狀態(tài),提高能效并降低功耗。

KF10N60FR-VB憑借其高耐壓、良好的導(dǎo)電性能和廣泛的應(yīng)用適應(yīng)性,提供了高效、可靠的解決方案,適用于多個領(lǐng)域的電源管理和控制系統(tǒng)。

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