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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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KF10N60F-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: KF10N60F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介  
KF10N60F-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,專為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計。它采用 TO220F 封裝,具有良好的散熱性能,適合在各種電子設(shè)備和工業(yè)應(yīng)用中使用。該器件的漏極-源極電壓(VDS)高達 650V,使其能夠滿足高壓電源的需求。KF10N60F-VB 的柵極-源極電壓(VGS)為 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V,確保其在開關(guān)操作中具備可靠的性能。導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 680mΩ(@ VGS=10V),在大電流條件下表現(xiàn)出色。最大漏極電流(ID)為 12A,使其能夠處理中等功率應(yīng)用。KF10N60F-VB 的平面技術(shù)設(shè)計提升了其性能和可靠性。

### 詳細參數(shù)說明  
- **封裝類型**:TO220F  
- **配置**:單 N 溝道  
- **漏極-源極電壓(VDS)**:650V  
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±30V  
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:680mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流(ID)**:12A  
- **技術(shù)類型**:平面技術(shù)(Plannar)  
- **功耗(Ptot)**:80W  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C  
- **開關(guān)速度**:適中  
- **散熱性能**:良好  

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例  
1. **開關(guān)電源(SMPS)**:KF10N60F-VB 是高壓開關(guān)電源中常用的組件,能夠處理高達 650V 的電壓,為電源適配器和電源轉(zhuǎn)換器提供高效能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定輸出,減少能量損失。

2. **電動機控制**:在電動機驅(qū)動應(yīng)用中,KF10N60F-VB 適合用于電機驅(qū)動器和變頻器。其高電壓和高電流能力確保了電動機在啟動和運行過程中的穩(wěn)定性,提升了電動機控制系統(tǒng)的可靠性和效率。

3. **照明控制系統(tǒng)**:該 MOSFET 可用于高壓照明應(yīng)用,如LED驅(qū)動和高壓氣體放電燈的控制。其出色的導(dǎo)通性能和高壓耐受能力確保照明設(shè)備在各種環(huán)境下的可靠運行。

4. **電力電子模塊**:KF10N60F-VB 可廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域,如直流-直流轉(zhuǎn)換器和逆變器,能夠在高電壓和中等電流的場景中實現(xiàn)高效能量管理,滿足復(fù)雜的電力需求和控制策略。

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