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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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KF3N60F-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: KF3N60F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介 - KF3N60F-VB

KF3N60F-VB是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝。其最大漏源電壓(VDS)為650V,柵源電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V。這款MOSFET具有2560mΩ的RDS(ON)阻抗(在VGS為10V時),最大漏極電流(ID)為4A,適合在高壓應(yīng)用場景中工作。該產(chǎn)品采用平面工藝技術(shù),具有可靠性高、耐高壓的特點(diǎn),適合需要高耐壓、低功耗開關(guān)的應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO220F
- **通道類型**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)類型**: 平面工藝 (Plannar)
- **最大耗散功率**: 31W(典型值)
- **擊穿電壓 (BVDSS)**: 650V
- **電流上升時間 (tr)**: 45ns
- **開關(guān)時間**: 快速開關(guān)速度

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
KF3N60F-VB適用于多種需要高壓和低電流控制的應(yīng)用模塊。

1. **電源管理模塊**:在高壓轉(zhuǎn)換器、電源適配器、開關(guān)電源(SMPS)中,KF3N60F-VB表現(xiàn)出色。其高VDS和可靠的導(dǎo)通電阻,使其能夠高效地控制功率傳輸,減少電力損耗。
  
2. **照明驅(qū)動模塊**:該MOSFET在LED驅(qū)動電路和節(jié)能燈的鎮(zhèn)流器電路中也有廣泛應(yīng)用。其高壓特性使其在控制驅(qū)動大功率燈具時表現(xiàn)穩(wěn)定。

3. **工業(yè)控制模塊**:在工業(yè)自動化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動、電磁閥控制等應(yīng)用中,KF3N60F-VB的高電壓耐受能力和平面工藝技術(shù)提供了高效的開關(guān)控制。

4. **家電和空調(diào)設(shè)備**:KF3N60F-VB可以用于冰箱、空調(diào)、洗衣機(jī)等家電中的電壓調(diào)節(jié)及控制電路中,提供高壓開關(guān)能力,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

5. **逆變器與變頻器模塊**:該MOSFET適合用于逆變器和變頻器,特別是在要求高耐壓和快速開關(guān)速度的場合,能提升系統(tǒng)效率并提供可靠的開關(guān)性能。

通過其高耐壓特性、低功耗表現(xiàn)及快速開關(guān)速度,KF3N60F-VB可以有效提高各類高壓低電流應(yīng)用的能效。

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