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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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KF5N50FZA-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): KF5N50FZA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 - KF5N50FZA-VB

KF5N50FZA-VB是一款高壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高效電力轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為650V,柵源電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V。該MOSFET具有1100mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)在VGS為10V時(shí)),最大漏極電流(ID)為7A。KF5N50FZA-VB采用平面工藝(Plannar),提供了高可靠性和良好的熱性能,適合于多種高壓應(yīng)用場(chǎng)合。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**: TO220F
- **通道類型**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)類型**: 平面工藝 (Plannar)
- **最大耗散功率**: 60W(典型值)
- **擊穿電壓 (BVDSS)**: 650V
- **電流上升時(shí)間 (tr)**: 55ns
- **開關(guān)時(shí)間**: 快速開關(guān)速度

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
KF5N50FZA-VB廣泛適用于多種高壓和電流控制需求的應(yīng)用領(lǐng)域,主要包括以下模塊:

1. **電源管理模塊**:在開關(guān)電源(SMPS)、電源適配器和DC-DC變換器中,KF5N50FZA-VB提供穩(wěn)定的功率開關(guān)能力,確保高效電能轉(zhuǎn)換并降低熱損耗。

2. **照明控制模塊**:在LED驅(qū)動(dòng)電路及其他高功率照明系統(tǒng)中,該MOSFET能夠有效調(diào)節(jié)電流,確保LED在穩(wěn)定電流下工作,提高燈具的使用壽命。

3. **工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備**:KF5N50FZA-VB適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)設(shè)備控制中,能夠快速響應(yīng)控制信號(hào),實(shí)現(xiàn)精確的電機(jī)啟動(dòng)、停止和調(diào)速。

4. **家電控制模塊**:該MOSFET可廣泛應(yīng)用于冰箱、洗衣機(jī)、空調(diào)等家用電器中,特別是在高壓開關(guān)和調(diào)節(jié)電路中,提供可靠的電流控制。

5. **逆變器與變頻器**:KF5N50FZA-VB適合在太陽(yáng)能逆變器和變頻器中使用,能夠承受高電壓和電流,提升轉(zhuǎn)換效率并延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。

綜上所述,KF5N50FZA-VB以其高耐壓、低導(dǎo)通電阻和良好的熱性能,成為高壓開關(guān)應(yīng)用的理想選擇,有效提升各類設(shè)備的能效和可靠性。

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