--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### KF5N65F-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
KF5N65F-VB 是一款單極 N 通道功率 MOSFET,專(zhuān)為高電壓和中等電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為 650V,柵源電壓(VGS)額定值為 ±30V,確保該器件在高電壓電路中可靠工作。閾值電壓(Vth)為 3.5V,使得該 MOSFET 對(duì)控制信號(hào)反應(yīng)靈敏。在 VGS=10V 時(shí)的 RDS(ON) 為 2560mΩ,能夠有效降低導(dǎo)通損耗,適合多種中等電流需求的應(yīng)用。其電流處理能力(ID)為 4A,采用平面技術(shù)制造,提供穩(wěn)定的性能和可靠的開(kāi)關(guān)能力。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
1. **封裝**:TO220F
- 該封裝提供良好的散熱性能,并在 MOSFET 與散熱器之間提供電氣絕緣,適合高功率和高電壓應(yīng)用。
2. **配置**:?jiǎn)螛O N 通道
- 簡(jiǎn)單且易于使用的配置,適合多種開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
3. **VDS(漏源電壓)**:650V
- 該 MOSFET 可承受高達(dá) 650V 的漏源電壓,適合用于高電壓電源電路。
4. **VGS(柵源電壓)**:±30V
- 柵源電壓限制,允許在電壓波動(dòng)的環(huán)境中安全工作。
5. **Vth(閾值電壓)**:3.5V
- MOSFET 需要 3.5V 的柵源電壓才能開(kāi)啟,適合與標(biāo)準(zhǔn)控制邏輯兼容。
6. **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:2560mΩ @ VGS=10V
- 較高的導(dǎo)通電阻使得該器件在低功率或中等電流操作中更為有效,能夠減少導(dǎo)通損耗。
7. **ID(連續(xù)漏電流)**:4A
- MOSFET 可以處理高達(dá) 4A 的連續(xù)電流,適合中等功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
8. **技術(shù)**:平面技術(shù)
- 平面技術(shù)以其簡(jiǎn)單性和可靠性著稱(chēng),適用于大多數(shù)通用電源和負(fù)載控制。
### 應(yīng)用實(shí)例:
1. **開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**:
KF5N65F-VB MOSFET 廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中,尤其是在 PFC(功率因數(shù)校正)和輸出整流環(huán)節(jié)。其高 VDS 額定值和相對(duì)較低的導(dǎo)通損耗,使其非常適合用于消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源,如電腦電源適配器和 LED 驅(qū)動(dòng)電源。
2. **電動(dòng)機(jī)控制**:
由于其 650V 的 VDS 額定值,該 MOSFET 可以用于電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用中,例如洗衣機(jī)、空調(diào)和其他家用電器。它可以作為逆變器電路中的開(kāi)關(guān),提供中等電流需求的驅(qū)動(dòng)。
3. **LED 照明系統(tǒng)**:
KF5N65F-VB MOSFET 適合在 LED 照明應(yīng)用中使用,能夠在高電壓下控制 LED 驅(qū)動(dòng)電路的開(kāi)關(guān)操作,滿(mǎn)足工業(yè)和戶(hù)外照明系統(tǒng)的需求。
4. **HVAC 系統(tǒng)**:
在加熱、通風(fēng)和空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)中,KF5N65F-VB 可用于壓縮機(jī)和風(fēng)扇的電動(dòng)機(jī)控制。其高電壓承受能力使其在不同操作條件下表現(xiàn)穩(wěn)定。
5. **工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器**:
在一些小型工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器中,KF5N65F-VB MOSFET 可作為開(kāi)關(guān)元件,用于高電壓電源的轉(zhuǎn)換,為中功率應(yīng)用提供可靠的電源解決方案。
KF5N65F-VB MOSFET 的設(shè)計(jì)使其非常適合在高電壓和中等電流的應(yīng)用場(chǎng)景中提供高效、可靠的開(kāi)關(guān)解決方案,滿(mǎn)足多種電源和驅(qū)動(dòng)電路的需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛