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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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KF7N60F-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: KF7N60F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:
KF7N60F-VB 是一款高性能單極N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝,專為650V高壓應(yīng)用設(shè)計。該器件具有±30V的柵源極電壓(VGS)范圍,開啟電壓(Vth)為3.5V,確保了良好的開關(guān)性能。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1100mΩ,在7A的漏極電流(ID)下表現(xiàn)出色。采用平面工藝(Plannar Technology)制造,KF7N60F-VB 在開關(guān)電源和電機驅(qū)動等應(yīng)用中具有很高的可靠性和效率。

### 詳細參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO220F  
- **溝道配置**: 單極N溝道  
- **漏源極電壓(VDS)**: 650V  
- **柵源極電壓(VGS)**: ±30V  
- **開啟電壓(Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流(ID)**: 7A  
- **技術(shù)工藝**: 平面工藝(Plannar Technology)  
- **柵極電荷(Qg)**: 中等,適合高頻開關(guān)應(yīng)用  
- **熱阻(Rth)**: 設(shè)計用于良好的熱管理,以適應(yīng)大功率和高頻操作。

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:
KF7N60F-VB MOSFET 可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **開關(guān)電源(SMPS)**:KF7N60F-VB 是高壓開關(guān)電源中的理想選擇,能夠處理650V的電壓并且具備低導(dǎo)通損耗的特性,提高整體能量轉(zhuǎn)換效率,適合在數(shù)據(jù)中心和工業(yè)設(shè)備中使用。

2. **電機驅(qū)動器**:在各種電機驅(qū)動應(yīng)用中,KF7N60F-VB 的高電流承載能力和耐壓性能使其非常適合用于控制直流電機和步進電機,尤其是在機器人和自動化設(shè)備中,可以有效控制運動和位置。

3. **LED 驅(qū)動器**:由于其優(yōu)秀的高壓性能,KF7N60F-VB 可用于LED驅(qū)動電路,特別是在需要高效調(diào)光和控制的高功率LED應(yīng)用中,能夠保證穩(wěn)定的電流輸出。

4. **逆變器**:在太陽能逆變器和其他類型的逆變電源中,KF7N60F-VB 能夠在高頻率和高電壓條件下有效工作,確保電能的高效轉(zhuǎn)換和傳輸。

5. **電源適配器**:該MOSFET 也適用于各種電源適配器和充電器中,能夠在保證高功率輸出的同時,保持較低的能量損耗,適合大功率便攜式充電設(shè)備。

KF7N60F-VB MOSFET 通過其高效的電源管理能力和可靠的性能,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對效率、穩(wěn)定性和成本效益的嚴(yán)格要求。

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