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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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KHB7D5N60F-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: KHB7D5N60F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介 – KHB7D5N60F-VB

KHB7D5N60F-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計。該器件具有 650V 的漏極-源極電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵極-源極電壓 (VGS),適合用于電力電子及高壓設(shè)備。KHB7D5N60F-VB 的開啟閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 2560mΩ @ VGS=10V,能夠提供可靠的導(dǎo)通性能。基于 Plannar 技術(shù)的設(shè)計,KHB7D5N60F-VB 提供出色的熱管理能力和高可靠性,適合在各種苛刻環(huán)境下長時間運行。

### 詳細(xì)參數(shù)說明 – KHB7D5N60F-VB

- **封裝類型**:TO220F  
- **溝道配置**:單 N 溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:650V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V  
- **開啟閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS=10V  
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:4A  
- **技術(shù)**:Plannar  
- **最大功率耗散**:約 50W,具體取決于散熱條件  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C  
- **封裝引腳配置**:標(biāo)準(zhǔn) TO220F 封裝,便于安裝和散熱

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **開關(guān)電源(SMPS)**
  KHB7D5N60F-VB 在開關(guān)電源中表現(xiàn)良好,適合高電壓的 AC-DC 轉(zhuǎn)換器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。其 650V 的耐壓和適中的導(dǎo)通電阻使得能量轉(zhuǎn)換效率高,降低了功率損耗,確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。

2. **電動機(jī)控制**
  該 MOSFET 可用于電動機(jī)控制應(yīng)用,能夠有效地驅(qū)動直流電動機(jī)和步進(jìn)電動機(jī)。KHB7D5N60F-VB 提供穩(wěn)定的電流控制,確保在不同負(fù)載情況下電動機(jī)的可靠性和高效性能。

3. **逆變器**
  KHB7D5N60F-VB 是逆變器設(shè)計中的理想選擇,尤其適用于可再生能源系統(tǒng)如太陽能逆變器和風(fēng)能逆變器。該器件能夠高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,滿足高效電力轉(zhuǎn)換的需求。

4. **LED 驅(qū)動器**
  該 MOSFET 也廣泛應(yīng)用于高功率 LED 驅(qū)動器中,能夠穩(wěn)定地控制 LED 的工作電流,確保在各種工作條件下保持一致的亮度和性能,提高整體照明系統(tǒng)的效率。

KHB7D5N60F-VB 是高電壓應(yīng)用中一個非??煽康倪x擇,能夠在各種電力電子應(yīng)用中提供優(yōu)異的性能和穩(wěn)定性。

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