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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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KIA7N60U-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: KIA7N60U-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、KIA7N60U-VB 產(chǎn)品簡介

KIA7N60U-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高壓應(yīng)用而設(shè)計。其漏源電壓(VDS)高達(dá)650V,適合處理高壓電路需求。該MOSFET的柵源電壓(VGS)可承受±30V,確保在嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定性。其閾值電壓(Vth)為3.5V,能夠確??煽康拈_關(guān)動作。在VGS為10V時,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1100mΩ,漏極電流(ID)最大可達(dá)7A?;谄矫妫≒lannar)技術(shù),KIA7N60U-VB提供了良好的電壓耐受能力和可靠的導(dǎo)通性能,適合高壓電源管理和開關(guān)電路。

### 二、KIA7N60U-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)            | 值                        |
|----------------|----------------------------|
| 封裝類型        | TO220F                     |
| 配置            | 單N溝道                    |
| 漏源電壓 (VDS)  | 650V                       |
| 柵源電壓 (VGS)  | ±30V                       |
| 閾值電壓 (Vth)  | 3.5V                       |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @VGS=10V | 1100mΩ            |
| 最大漏極電流 (ID) | 7A                        |
| 技術(shù)            | 平面(Plannar)            |

### 三、KIA7N60U-VB 適用領(lǐng)域及模塊示例

1. **高壓電源管理**
  KIA7N60U-VB憑借其650V的高漏源電壓和可靠的導(dǎo)通性能,非常適合應(yīng)用于高壓電源管理模塊中。這類應(yīng)用通常需要處理高電壓輸入,并且對器件的可靠性和耐壓性能有很高要求,該MOSFET能夠勝任此類任務(wù)。

2. **工業(yè)逆變器**
  在工業(yè)逆變器中,KIA7N60U-VB可用于直流到交流的轉(zhuǎn)換電路中。其高電壓承載能力使其適用于需要處理高壓直流電的系統(tǒng),有助于提高逆變器的效率和耐用性。

3. **電源適配器**
  由于其650V的高電壓能力,KIA7N60U-VB特別適用于需要高壓轉(zhuǎn)換的電源適配器。其較低的漏極電流和適中的導(dǎo)通電阻確保其在電源轉(zhuǎn)換過程中具有較低的損耗,進(jìn)而提高整體轉(zhuǎn)換效率。

4. **開關(guān)電源 (SMPS)**
  KIA7N60U-VB還可用于開關(guān)電源系統(tǒng)中,尤其是那些需要處理高電壓和中等電流的場合。其可靠的導(dǎo)通性能能夠在開關(guān)電路中減少能量損耗,從而提高系統(tǒng)的能源效率。

這些應(yīng)用場景展示了KIA7N60U-VB在高壓和電源管理領(lǐng)域中的多樣化應(yīng)用,特別是在要求高電壓耐受能力和穩(wěn)定性能的場合。

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