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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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MDF10N60G-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: MDF10N60G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### MDF10N60G-VB 產(chǎn)品簡介
MDF10N60G-VB 是一款高壓 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。其漏源電壓 (VDS) 高達 650V,適用于需要高電壓控制的場合。該器件的柵源電壓 (VGS) 可達 ±30V,能夠在復(fù)雜電路中提供穩(wěn)定的控制。閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,使得該 MOSFET 在開啟時具有較低的電壓要求。在 VGS 為 10V 時,其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 830mΩ,支持高達 10A 的最大漏極電流 (ID),展現(xiàn)出卓越的導(dǎo)通性能和低能量損耗。MDF10N60G-VB 采用平面 (Plannar) 技術(shù),確保良好的開關(guān)特性和熱穩(wěn)定性,適合各種高壓電源和開關(guān)應(yīng)用。

### MDF10N60G-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝 (Package):** TO220F
- **配置 (Configuration):** 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS):** 650V
- **柵源電壓 (VGS):** ±30V
- **閾值電壓 (Vth):** 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 830mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID):** 10A
- **技術(shù) (Technology):** 平面 (Plannar)

### MDF10N60G-VB 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
1. **開關(guān)電源 (SMPS)**:MDF10N60G-VB 適用于開關(guān)模式電源 (SMPS),特別是在需要高電壓和高效率的電源轉(zhuǎn)換場合,如工業(yè)電源、服務(wù)器電源等。其高耐壓特性能夠處理變換器中的大功率需求,同時保持低功耗和高轉(zhuǎn)換效率。

2. **LED 驅(qū)動電源**:在 LED 照明應(yīng)用中,此 MOSFET 可用于高壓 LED 驅(qū)動電源。其出色的導(dǎo)通性能和高壓處理能力確保了在戶外照明和室內(nèi)照明系統(tǒng)中穩(wěn)定的電流輸出,有助于延長 LED 的使用壽命并提高能效。

3. **電機驅(qū)動與逆變器**:MDF10N60G-VB 能夠在電機驅(qū)動和逆變器中提供穩(wěn)定的高壓開關(guān)功能,廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化、家用電器、可再生能源(如風(fēng)能和太陽能)等領(lǐng)域。這種 MOSFET 的高耐壓能力允許其在惡劣環(huán)境下工作,確保設(shè)備的高效運行。

4. **不間斷電源 (UPS)**:該 MOSFET 在不間斷電源系統(tǒng)中也非常重要,能夠處理高電壓輸入和高電流需求,保證在電力故障或切換期間,UPS 系統(tǒng)能夠快速、可靠地保持供電。

5. **工業(yè)控制設(shè)備**:在各種工業(yè)控制設(shè)備中,MDF10N60G-VB 可作為開關(guān)控制器,適用于重型機器、焊接設(shè)備等。它的高壓和大電流處理能力使其在嚴苛的操作條件下表現(xiàn)出色,確保工業(yè)設(shè)備的安全性和穩(wěn)定性。

通過其高壓處理能力、卓越的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻,MDF10N60G-VB 是多種高壓電源轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用的理想選擇。

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