--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### MDF10N60G-VB 產(chǎn)品簡介
MDF10N60G-VB 是一款高壓 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。其漏源電壓 (VDS) 高達 650V,適用于需要高電壓控制的場合。該器件的柵源電壓 (VGS) 可達 ±30V,能夠在復(fù)雜電路中提供穩(wěn)定的控制。閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,使得該 MOSFET 在開啟時具有較低的電壓要求。在 VGS 為 10V 時,其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 830mΩ,支持高達 10A 的最大漏極電流 (ID),展現(xiàn)出卓越的導(dǎo)通性能和低能量損耗。MDF10N60G-VB 采用平面 (Plannar) 技術(shù),確保良好的開關(guān)特性和熱穩(wěn)定性,適合各種高壓電源和開關(guān)應(yīng)用。
### MDF10N60G-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝 (Package):** TO220F
- **配置 (Configuration):** 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS):** 650V
- **柵源電壓 (VGS):** ±30V
- **閾值電壓 (Vth):** 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 830mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID):** 10A
- **技術(shù) (Technology):** 平面 (Plannar)
### MDF10N60G-VB 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
1. **開關(guān)電源 (SMPS)**:MDF10N60G-VB 適用于開關(guān)模式電源 (SMPS),特別是在需要高電壓和高效率的電源轉(zhuǎn)換場合,如工業(yè)電源、服務(wù)器電源等。其高耐壓特性能夠處理變換器中的大功率需求,同時保持低功耗和高轉(zhuǎn)換效率。
2. **LED 驅(qū)動電源**:在 LED 照明應(yīng)用中,此 MOSFET 可用于高壓 LED 驅(qū)動電源。其出色的導(dǎo)通性能和高壓處理能力確保了在戶外照明和室內(nèi)照明系統(tǒng)中穩(wěn)定的電流輸出,有助于延長 LED 的使用壽命并提高能效。
3. **電機驅(qū)動與逆變器**:MDF10N60G-VB 能夠在電機驅(qū)動和逆變器中提供穩(wěn)定的高壓開關(guān)功能,廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化、家用電器、可再生能源(如風(fēng)能和太陽能)等領(lǐng)域。這種 MOSFET 的高耐壓能力允許其在惡劣環(huán)境下工作,確保設(shè)備的高效運行。
4. **不間斷電源 (UPS)**:該 MOSFET 在不間斷電源系統(tǒng)中也非常重要,能夠處理高電壓輸入和高電流需求,保證在電力故障或切換期間,UPS 系統(tǒng)能夠快速、可靠地保持供電。
5. **工業(yè)控制設(shè)備**:在各種工業(yè)控制設(shè)備中,MDF10N60G-VB 可作為開關(guān)控制器,適用于重型機器、焊接設(shè)備等。它的高壓和大電流處理能力使其在嚴苛的操作條件下表現(xiàn)出色,確保工業(yè)設(shè)備的安全性和穩(wěn)定性。
通過其高壓處理能力、卓越的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻,MDF10N60G-VB 是多種高壓電源轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12