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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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MDF10N65B-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: MDF10N65B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### MDF10N65B-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

MDF10N65B-VB 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,具有優(yōu)良的電氣特性和熱性能,適合在高壓和高電流應(yīng)用中使用。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 650V,柵源電壓 (VGS) 可達(dá)到 ±30V,使其在要求高電壓電源和功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,在 VGS 為 10V 時,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 830mΩ,這使得它在工作時具有較低的導(dǎo)通損耗,能夠支持最大 10A 的漏極電流 (ID)。MDF10N65B-VB 采用平面技術(shù)(Plannar),該技術(shù)確保了器件的高可靠性和效率,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、LED 驅(qū)動和逆變器等領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **產(chǎn)品型號**: MDF10N65B-VB
- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 830mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)**: 平面(Plannar)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

MDF10N65B-VB 的高壓、高電流特性使其適用于多個領(lǐng)域,以下是一些具體的應(yīng)用示例:

1. **開關(guān)電源 (SMPS)**:
  在開關(guān)模式電源中,MDF10N65B-VB 作為主功率開關(guān)管,能夠高效地控制電能的傳輸。其高達(dá) 650V 的最大漏源電壓使其能夠處理大多數(shù)電源輸入,確保在高功率環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。

2. **逆變器**:
  在太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中,該器件能夠?qū)⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為交流電,尤其是在需要高電壓輸出的場合。MDF10N65B-VB 能夠支持高功率的能量轉(zhuǎn)換,確保系統(tǒng)的高效和穩(wěn)定。

3. **LED 驅(qū)動電路**:
  在 LED 照明系統(tǒng)中,該 MOSFET 能夠有效控制電流并提高能效,適合用于大功率 LED 模塊。其低導(dǎo)通電阻確保了較低的熱損耗,從而延長了 LED 的使用壽命。

4. **電機(jī)驅(qū)動**:
  在工業(yè)自動化和電動工具的電機(jī)控制應(yīng)用中,MDF10N65B-VB 能夠提供高效的電流開關(guān),支持高達(dá) 10A 的電流。其穩(wěn)定的性能保證了電機(jī)的高效運(yùn)轉(zhuǎn)和反應(yīng)迅速。

5. **電源適配器**:
  在各種電源適配器中,MDF10N65B-VB 可用于轉(zhuǎn)換和控制電壓,以適應(yīng)不同的負(fù)載需求,確保設(shè)備在不同條件下都能正常工作。

綜上所述,MDF10N65B-VB 以其卓越的性能和可靠性,成為多種高壓應(yīng)用的理想選擇,為用戶提供高效能的解決方案。

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