--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### MDF10N65B-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
MDF10N65B-VB 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,具有優(yōu)良的電氣特性和熱性能,適合在高壓和高電流應(yīng)用中使用。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 650V,柵源電壓 (VGS) 可達(dá)到 ±30V,使其在要求高電壓電源和功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,在 VGS 為 10V 時,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 830mΩ,這使得它在工作時具有較低的導(dǎo)通損耗,能夠支持最大 10A 的漏極電流 (ID)。MDF10N65B-VB 采用平面技術(shù)(Plannar),該技術(shù)確保了器件的高可靠性和效率,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、LED 驅(qū)動和逆變器等領(lǐng)域。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **產(chǎn)品型號**: MDF10N65B-VB
- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 830mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)**: 平面(Plannar)
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
MDF10N65B-VB 的高壓、高電流特性使其適用于多個領(lǐng)域,以下是一些具體的應(yīng)用示例:
1. **開關(guān)電源 (SMPS)**:
在開關(guān)模式電源中,MDF10N65B-VB 作為主功率開關(guān)管,能夠高效地控制電能的傳輸。其高達(dá) 650V 的最大漏源電壓使其能夠處理大多數(shù)電源輸入,確保在高功率環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。
2. **逆變器**:
在太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中,該器件能夠?qū)⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為交流電,尤其是在需要高電壓輸出的場合。MDF10N65B-VB 能夠支持高功率的能量轉(zhuǎn)換,確保系統(tǒng)的高效和穩(wěn)定。
3. **LED 驅(qū)動電路**:
在 LED 照明系統(tǒng)中,該 MOSFET 能夠有效控制電流并提高能效,適合用于大功率 LED 模塊。其低導(dǎo)通電阻確保了較低的熱損耗,從而延長了 LED 的使用壽命。
4. **電機(jī)驅(qū)動**:
在工業(yè)自動化和電動工具的電機(jī)控制應(yīng)用中,MDF10N65B-VB 能夠提供高效的電流開關(guān),支持高達(dá) 10A 的電流。其穩(wěn)定的性能保證了電機(jī)的高效運(yùn)轉(zhuǎn)和反應(yīng)迅速。
5. **電源適配器**:
在各種電源適配器中,MDF10N65B-VB 可用于轉(zhuǎn)換和控制電壓,以適應(yīng)不同的負(fù)載需求,確保設(shè)備在不同條件下都能正常工作。
綜上所述,MDF10N65B-VB 以其卓越的性能和可靠性,成為多種高壓應(yīng)用的理想選擇,為用戶提供高效能的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12