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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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MDF4N60TP-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: MDF4N60TP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### MDF4N60TP-VB 產(chǎn)品概述:

MDF4N60TP-VB 是一款高壓 N 溝道 MOSFET,具有最高 650V 的漏源電壓(VDS)和 4A 的漏電流(ID)。該 MOSFET 采用 TO220F 封裝,因其優(yōu)良的散熱性能,適合于高功率應(yīng)用。該器件使用平面工藝技術(shù),旨在提供可靠的開關(guān)性能和相對較低的功耗。其柵極閾值電壓(Vth)為 3.5V,在 VGS = 10V 時(shí),漏源導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 2560mΩ,使得 MDF4N60TP-VB 在高壓應(yīng)用中具備一定的控制能力,適合用于各種工業(yè)和商業(yè)用途。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單 N 溝道
- **VDS (漏-源電壓)**: 650V
- **VGS (柵-源電壓)**: ±30V
- **Vth (柵極閾值電壓)**: 3.5V
- **RDS(ON) (漏源導(dǎo)通電阻)**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏電流)**: 4A
- **技術(shù)**: 平面工藝
- **工作溫度范圍**: 通常在較寬的溫度范圍內(nèi)運(yùn)行,以確保在不同工作條件下的穩(wěn)定性。

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:  
  由于其高壓(650V)和適度的電流能力(4A),MDF4N60TP-VB 非常適合用于電源轉(zhuǎn)換器和整流器電路。它能夠有效地控制電流,確保在高壓應(yīng)用中的能效,尤其是在 AC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中表現(xiàn)優(yōu)異。

2. **照明控制**:  
  在LED照明應(yīng)用中,MDF4N60TP-VB 可用于驅(qū)動高功率 LED 模塊,其較高的 VDS 使其能夠承受較大的電壓,從而保證LED的穩(wěn)定性和亮度。這在工業(yè)照明和商業(yè)照明系統(tǒng)中尤為重要。

3. **電機(jī)驅(qū)動**:  
  該MOSFET適用于電機(jī)控制系統(tǒng),尤其是在低到中等功率電機(jī)的驅(qū)動中。其可靠的開關(guān)性能和良好的熱管理能力使其成為電動工具和家用電器中電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的理想選擇。

4. **焊接設(shè)備**:  
  在焊接設(shè)備和其他高功率工業(yè)設(shè)備中,MDF4N60TP-VB 可用于電源管理和電流控制,確保焊接過程中的穩(wěn)定性和效率。這種MOSFET能夠在高壓和高功率條件下可靠工作,滿足工業(yè)應(yīng)用的需求。

通過其優(yōu)良的性能,MDF4N60TP-VB 是需要高壓控制和低功耗的各種應(yīng)用的理想選擇,特別是在電源管理和電機(jī)控制領(lǐng)域。

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