91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

MDF5N50Z-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): MDF5N50Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:MDF5N50Z-VB MOSFET

MDF5N50Z-VB是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝,專為高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為650V,適合在高電壓環(huán)境中工作。該器件的柵源電壓(VGS)為±30V,開啟電壓(Vth)為3.5V,具有良好的導(dǎo)通特性,其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1100mΩ(@VGS=10V),最大漏極電流(ID)為7A。這種MOSFET采用Plannar技術(shù),旨在提供高電壓和高效率的開關(guān)能力,非常適合于電源管理和電力電子應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **最大漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **開啟電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS = 10V時(shí):1100mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:7A
- **技術(shù)類型**:Plannar
- **耗散功率(Pd)**:75W
- **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C
- **引腳配置**:3引腳

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:

1. **開關(guān)電源(SMPS)**:
  MDF5N50Z-VB常用于開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,如AC-DC適配器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。它的高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻特性使其能夠高效地控制電源,減少能量損失,提高整體系統(tǒng)效率。

2. **電機(jī)控制**:
  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,MDF5N50Z-VB能夠有效地用于高壓直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)與控制。其高漏源電壓和較大的漏極電流承受能力使其在工業(yè)和家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)中表現(xiàn)出色。

3. **照明系統(tǒng)**:
  在LED照明系統(tǒng)中,MDF5N50Z-VB可用作驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)元件,適合于高壓LED燈的控制。其高效率和良好的熱管理特性確保LED在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中的穩(wěn)定性和可靠性。

4. **功率轉(zhuǎn)換器**:
  該MOSFET適用于各種功率轉(zhuǎn)換器,包括逆變器和升降壓轉(zhuǎn)換器。由于其高電壓和大電流特性,可以確保在電力電子應(yīng)用中的有效能量轉(zhuǎn)換。

5. **電源管理系統(tǒng)**:
  MDF5N50Z-VB在電源管理應(yīng)用中也非常重要,比如在電源分配和電能監(jiān)測(cè)設(shè)備中,確保穩(wěn)定和高效的電源傳輸,尤其是在需要較高電壓的場(chǎng)合。

總的來(lái)說(shuō),MDF5N50Z-VB憑借其650V的高電壓能力和高達(dá)7A的漏極電流,適合廣泛應(yīng)用于高電壓和高功率的電子設(shè)備中,能夠滿足各種工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備的需求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    505瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    426瀏覽量