--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### NCE60R1K2F-VB 產(chǎn)品簡介
NCE60R1K2F-VB 是一款高性能的 **N-Channel MOSFET**,專為高電壓應用而設計,采用 **TO220F 封裝**。它的最大漏極-源極電壓 (VDS) 達到 **650V**,非常適合用于要求高耐壓的電源管理和開關電路。該 MOSFET 的最大柵極-源極電壓 (VGS) 為 **±30V**,閾值電壓 (Vth) 為 **3.5V**,提供了良好的開關特性。其導通電阻 (RDS(ON)) 為 **1100mΩ** @ VGS=10V,確保在大電流條件下有較低的功耗和發(fā)熱。該產(chǎn)品采用 **Plannar 技術**,具有優(yōu)良的熱穩(wěn)定性和可靠性,使其能夠在嚴苛環(huán)境下穩(wěn)定工作。
---
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**:NCE60R1K2F-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:7A
- **技術**:Plannar
- **工作環(huán)境溫度**:適合工業(yè)級應用
- **散熱特性**:TO220F 封裝設計確保高效散熱,適合高功率密度的應用場景。
---
### 應用領域與模塊示例
NCE60R1K2F-VB 的高電壓和高性能使其適用于多個關鍵應用領域,以下是一些典型的應用場景:
1. **高壓開關電源 (SMPS)**:在高壓開關電源中,該 MOSFET 可以作為主要開關元件,實現(xiàn)高效的電能轉換,適用于計算機電源、通信設備和工業(yè)電源等。
2. **電機驅動**:在電機控制應用中,如電動工具、機器人和自動化設備,該器件可用于驅動高電壓電機,確保高效能和響應速度。
3. **光伏逆變器**:在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,NCE60R1K2F-VB 可用于將直流電轉換為交流電,滿足電網(wǎng)接入的高壓需求,提高光伏發(fā)電的系統(tǒng)效率。
4. **電池充電器**:該 MOSFET 可以在高壓電池充電器中使用,幫助實現(xiàn)快速充電,特別是在電動車輛和儲能系統(tǒng)中,提高充電效率。
5. **家用電器**:該 MOSFET 也廣泛應用于家用電器,如空調、冰箱和洗衣機等,優(yōu)化功率控制,提高能效,降低能耗。
---
NCE60R1K2F-VB 結合了高耐壓、低導通電阻和優(yōu)秀的熱性能,成為現(xiàn)代高電壓電源管理、開關應用和電機驅動的理想選擇。其 TO220F 封裝設計確保了優(yōu)良的散熱性能,使其在多種應用場合下能夠穩(wěn)定運行。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12