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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NDF03N60Z-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): NDF03N60Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

## NDF03N60Z-VB 產(chǎn)品簡介  
NDF03N60Z-VB 是一款單 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,設(shè)計(jì)用于高電壓和高功率應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)達(dá)到 **650V**,適合用于各種高壓電路。該器件支持 **±30V 的柵源電壓 (VGS)**,具有良好的柵極閾值電壓 **3.5V**,在 10V 柵壓下,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 **2560mΩ**,在相應(yīng)電流條件下保持較低的功耗。NDF03N60Z-VB 的最大連續(xù)漏極電流(ID)為 **4A**,這使得它在高功率開關(guān)和線性應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠提供穩(wěn)定的性能和可靠的操作。

---

## 參數(shù)說明  
| 參數(shù)            | 值                                   | 描述                             |
|----------------|--------------------------------------|----------------------------------|
| **封裝**       | TO220F                              | 大功率、易于散熱的封裝         |
| **溝道配置**   | 單 N 通道                            | 適用于高壓開關(guān)和功率控制       |
| **VDS**        | 650V                                 | 漏源之間的最大電壓              |
| **VGS**        | ±30V                                 | 柵源之間的最大電壓              |
| **Vth**        | 3.5V                                 | 柵極開啟電壓                    |
| **RDS(ON)**    | 2560mΩ @ VGS=10V                   | 在高柵壓下的導(dǎo)通電阻            |
| **ID**         | 4A                                   | 最大連續(xù)漏極電流                |
| **技術(shù)類型**   | Plannar                             | 平面技術(shù),適用于高壓應(yīng)用        |

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## 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例  

1. **電源供應(yīng)系統(tǒng)**  
  NDF03N60Z-VB 可用于 **高電壓開關(guān)電源 (SMPS)**,提供高效的電能轉(zhuǎn)換,支持各種電源管理應(yīng)用,尤其在需要穩(wěn)定高壓輸出的場合。

2. **逆變器**  
  在 **光伏逆變器** 和 **風(fēng)能逆變器** 中,該 MOSFET 能夠處理高電壓直流輸入,轉(zhuǎn)換為交流電,支持可再生能源的利用。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**  
  該器件可用于 **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)** 系統(tǒng),特別是在高功率和高壓電機(jī)應(yīng)用中,能夠提供可靠的控制和驅(qū)動(dòng)能力,確保高效能和長壽命。

4. **電氣設(shè)備**  
  NDF03N60Z-VB 適合用于 **工業(yè)控制設(shè)備** 和 **電力設(shè)備**,能夠承受高電壓和高電流條件,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和安全性。

5. **熱管理系統(tǒng)**  
  由于其 TO220F 封裝設(shè)計(jì),該 MOSFET 具有優(yōu)良的散熱性能,非常適合于需要有效熱管理的 **功率轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)電路**。

---

NDF03N60Z-VB 是一款高性能的單 N 通道 MOSFET,專為高壓和高功率應(yīng)用設(shè)計(jì),具有優(yōu)越的電氣特性和廣泛的應(yīng)用潛力。其可靠性和出色的性能使其成為現(xiàn)代電源系統(tǒng)和高功率電子設(shè)備的理想選擇。

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