--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
## 一、NDF05N50Z-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NDF05N50Z-VB是一款單N溝道MOSFET,采用**TO-220F封裝**,支持高耐壓操作,具備650V的漏-源電壓(V\(_{DS}\)),是用于高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想選擇。該器件具有**3.5V的門檻電壓(V\(_{th}\)**),并支持最高**±30V的柵-源電壓(V\(_{GS}\)**)。其采用**平面MOSFET技術(shù)**,在提供優(yōu)異耐壓特性的同時(shí),保證了適當(dāng)?shù)拈_(kāi)關(guān)性能和穩(wěn)定性。在10V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下,該MOSFET的導(dǎo)通電阻(R\(_{DS(ON)}\))為**1100毫歐**,可以處理最高7A的電流(I\(_D\))。由于采用**TO-220F封裝**,具有良好的散熱能力,適合在高溫和高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
---
## 二、NDF05N50Z-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| **參數(shù)** | **數(shù)值** | **描述** |
|---------------------|-----------------------------|-------------------------------------------|
| **封裝類型** | TO-220F | 單片式塑料封裝,具有絕緣背板,提升散熱性能 |
| **極性** | N溝道 | 導(dǎo)通時(shí)N型半導(dǎo)體形成的電流通道 |
| **V\(_{DS}\)** | 650V | 最大漏-源電壓,支持高壓電路應(yīng)用 |
| **V\(_{GS}\)** | ±30V | 最大柵-源電壓,可承受較大驅(qū)動(dòng)電壓波動(dòng) |
| **V\(_{th}\)** | 3.5V | 柵極門檻電壓,指柵極開(kāi)始導(dǎo)通的電壓 |
| **R\(_{DS(ON)}\)** | 1100mΩ(@V\(_{GS}\)=10V) | 導(dǎo)通電阻,影響功耗和效率 |
| **I\(_D\)** | 7A | 最大連續(xù)漏極電流,決定負(fù)載能力 |
| **工作技術(shù)** | 平面技術(shù)(Plannar) | 提供良好耐壓特性和熱穩(wěn)定性 |
| **應(yīng)用溫度** | -55°C ~ +150°C | 工作溫度范圍,適應(yīng)不同環(huán)境條件 |
| **封裝特性** | 絕緣背板設(shè)計(jì) | 防止漏電,確保安全 |
---
## 三、NDF05N50Z-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域與典型模塊
1. **電源轉(zhuǎn)換模塊**
- 適用于DC-DC、AC-DC電源轉(zhuǎn)換電路中的高壓側(cè)開(kāi)關(guān)器件。由于其650V的高耐壓和7A的電流能力,它在工業(yè)電源和電池管理系統(tǒng)中廣泛使用。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**
- 在小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,用于控制和切換電流路徑,保證電機(jī)的高效運(yùn)行。它的平面技術(shù)確保在連續(xù)運(yùn)行中具備良好的熱穩(wěn)定性。
3. **照明系統(tǒng)**
- 在LED驅(qū)動(dòng)電源和高壓HID(高強(qiáng)度氣體放電)燈具中,作為高效開(kāi)關(guān)器件使用,減少功耗并提高系統(tǒng)可靠性。
4. **電力逆變器**
- NDF05N50Z-VB可在逆變器模塊中,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,特別適合于太陽(yáng)能逆變器和UPS系統(tǒng)中的高壓電路。
5. **工業(yè)自動(dòng)化與控制設(shè)備**
- 在PLC(可編程邏輯控制器)和變頻器中,用于高壓驅(qū)動(dòng)部分,確保設(shè)備在復(fù)雜環(huán)境中穩(wěn)定工作。
通過(guò)這些應(yīng)用示例可以看出,NDF05N50Z-VB因其**高壓特性、絕緣封裝和穩(wěn)定性**,非常適合在需要高壓驅(qū)動(dòng)和高溫環(huán)境下工作的場(chǎng)景中廣泛使用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛