--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、NDF08N50ZG-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NDF08N50ZG-VB 是一款高壓?jiǎn)?N 溝道 MOSFET,采用 TO-220F 封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的漏源極電壓 (V\(_{DS}\)) 達(dá)到 650V,能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,且其最大柵極電壓 (V\(_{GS}\)) 可達(dá) ±30V。具備 3.5V 的門限電壓 (V\(_{th}\)),確保在適當(dāng)?shù)臇烹妷合卵杆匍_啟。其導(dǎo)通電阻 (R\(_{DS(on)}\)) 為 830mΩ(在 V\(_{GS}\)=10V 時(shí)),使得器件在 10A 的額定電流 (I\(_D\)) 下仍能保持良好的熱管理性能。采用平面型技術(shù)(Plannar),該器件不僅具備高效的電流導(dǎo)通能力,還具有優(yōu)良的可靠性,適合于各種高壓電源管理和控制應(yīng)用。
---
### 二、NDF08N50ZG-VB 的詳細(xì)參數(shù)說明
| **參數(shù)** | **值** | **說明** |
|-------------------------|--------------------|-------------------------------------|
| **封裝** | TO-220F | 標(biāo)準(zhǔn)功率封裝,適合散熱與安裝。 |
| **溝道類型** | 單 N 溝道 | 適合高電壓開關(guān)應(yīng)用。 |
| **漏源極電壓 (V\(_{DS}\))** | 650V | 適用于高壓場(chǎng)合,保障系統(tǒng)穩(wěn)定性。 |
| **柵源極電壓 (V\(_{GS}\))** | ±30V | 支持大幅度柵極驅(qū)動(dòng),提高開關(guān)效率。 |
| **門限電壓 (V\(_{th}\))** | 3.5V | 低門限電壓,提升開關(guān)速度。 |
| **導(dǎo)通電阻 (R\(_{DS(on)}\))** | 830mΩ @ V\(_{GS}\)=10V | 較低的導(dǎo)通電阻,降低功耗和發(fā)熱。 |
| **漏極電流 (I\(_D\))** | 10A | 支持的最大連續(xù)電流,適合中等功率應(yīng)用。 |
| **技術(shù)** | 平面型 (Plannar) | 提供良好的特性與高壓能力,適合長(zhǎng)時(shí)間工作。 |
---
### 三、NDF08N50ZG-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例
1. **開關(guān)電源 (SMPS)**
NDF08N50ZG-VB 特別適合用于開關(guān)電源模塊,能夠在高電壓輸入下提供高效的電源轉(zhuǎn)換。其 650V 的耐壓能力使其在電源適配器和 LED 驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用中表現(xiàn)出色,保證電路的穩(wěn)定運(yùn)行。
2. **工業(yè)自動(dòng)化與電機(jī)驅(qū)動(dòng)**
在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,該 MOSFET 常用于直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和傳動(dòng)控制中,能夠處理高電壓和中等電流的應(yīng)用。其快速開關(guān)特性使得電機(jī)啟動(dòng)和制動(dòng)反應(yīng)靈敏,適合于各種自動(dòng)化設(shè)備。
3. **光伏逆變器**
NDF08N50ZG-VB 在光伏逆變器中被廣泛應(yīng)用,能夠有效將太陽(yáng)能系統(tǒng)輸出的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。在逆變器的高壓開關(guān)部分,該器件可以承受高達(dá) 650V 的輸入,確保光伏系統(tǒng)的高效能與安全性。
4. **高壓電源和保護(hù)電路**
此 MOSFET 的高耐壓特性使其在高壓電源和保護(hù)電路中具有廣泛應(yīng)用,例如在電源過載保護(hù)和短路保護(hù)電路中,能夠快速響應(yīng)以防止設(shè)備損壞。
綜上所述,NDF08N50ZG-VB 在高壓環(huán)境中的中等功率應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,其可靠性和高效率使其成為電源管理、工業(yè)控制和可再生能源領(lǐng)域的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛