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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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P3N60FI-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: P3N60FI-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:P3N60FI-VB MOSFET

P3N60FI-VB 是一款高電壓單N通道場效應(yīng)晶體管(MOSFET),采用TO220F封裝,專為高壓應(yīng)用設(shè)計。該器件具有650V的額定漏源電壓和4A的額定電流,適用于要求高電壓和低功耗的電路。其閾值電壓為3.5V,導(dǎo)通電阻為2560mΩ,能夠在各類開關(guān)應(yīng)用中提供穩(wěn)定的性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)                  | 規(guī)格                |
|-----------------------|---------------------|
| **型號**              | P3N60FI-VB          |
| **封裝**              | TO220F              |
| **配置**              | 單N通道             |
| **漏源電壓 (VDS)**    | 650V                |
| **柵源電壓 (VGS)**    | ±30V                |
| **閾值電壓 (Vth)**    | 3.5V                |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 2560mΩ @ VGS = 10V |
| **額定電流 (ID)**      | 4A                  |
| **技術(shù)**              | Plannar             |

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

P3N60FI-VB MOSFET 適用于多個領(lǐng)域和模塊,具體應(yīng)用包括:

1. **電源管理**:
  - 在高電壓開關(guān)電源(SMPS)和電池管理系統(tǒng)中,P3N60FI-VB能夠高效地控制電源轉(zhuǎn)換,適合用于電源適配器和逆變器等設(shè)備。

2. **工業(yè)自動化**:
  - 該MOSFET在工業(yè)設(shè)備中應(yīng)用廣泛,尤其是在驅(qū)動重負(fù)載電機和其他高功率設(shè)備時,能夠確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。

3. **照明控制**:
  - P3N60FI-VB適用于高壓照明控制系統(tǒng),如LED驅(qū)動器和熒光燈驅(qū)動器,能夠提供高效能和可靠性。

4. **家電設(shè)備**:
  - 在家用電器中,該MOSFET可以用于電機控制和功率開關(guān),確保設(shè)備高效能和長壽命。

5. **汽車電子**:
  - 在汽車電子系統(tǒng)中,P3N60FI-VB可用于高壓電源管理和驅(qū)動電路,為電動汽車和混合動力汽車提供關(guān)鍵支持。

憑借其高電壓承受能力和良好的電氣特性,P3N60FI-VB MOSFET 是各種高壓應(yīng)用中不可或缺的關(guān)鍵元件。

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