91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

P3NK60ZFP-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: P3NK60ZFP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、P3NK60ZFP-VB 產(chǎn)品簡介

P3NK60ZFP-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO-220F封裝,專為需要高電壓的應用設計。該器件能夠承受高達650V的漏源電壓(VDS),最大漏極電流(ID)為4A,適合在高功率環(huán)境中使用。其門限電壓(Vth)為3.5V,導通電阻(RDS(ON))為2560mΩ(@VGS=10V),確保了在開關(guān)狀態(tài)下的穩(wěn)定性與可靠性。P3NK60ZFP-VB 采用平面技術(shù)(Plannar),適用于高壓應用中對電流控制的需求。

### 二、P3NK60ZFP-VB 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 數(shù)值                           |
|---------------------|--------------------------------|
| 封裝                | TO-220F                       |
| 配置                | 單N溝道                        |
| 漏源電壓(VDS)     | 650V                           |
| 柵源電壓(VGS)     | ±30V                           |
| 門限電壓(Vth)     | 3.5V                           |
| 導通電阻(RDS(ON)) | 2560mΩ @ VGS=10V              |
| 最大漏極電流(ID)  | 4A                             |
| 技術(shù)                | Plannar                        |

### 三、應用領域與模塊

1. **高壓電源**  
  P3NK60ZFP-VB 在高壓電源轉(zhuǎn)換器中非常適合,能夠處理650V的電壓,適用于AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其高導通能力和低開關(guān)損耗使其成為高效能電源設計的理想選擇,廣泛應用于工業(yè)電源和大功率設備。

2. **電機控制**  
  該MOSFET 可用于電動機控制系統(tǒng),尤其是在高壓直流電動機驅(qū)動中。它的高電壓能力與相對低電流承載能力,適合用于中小型電機的啟動與調(diào)速控制。

3. **焊接設備**  
  在電弧焊接和激光焊接設備中,P3NK60ZFP-VB 也可以作為開關(guān)元件,控制焊接電流。其高耐壓特性確保設備在瞬態(tài)高壓下的安全運行。

4. **光伏系統(tǒng)**  
  該MOSFET 可用于光伏逆變器和相關(guān)應用中,能夠有效管理太陽能電池板的輸出電流。由于其高電壓能力,P3NK60ZFP-VB 可以在太陽能系統(tǒng)中實現(xiàn)高效的電流轉(zhuǎn)換與控制,確保能源的有效利用。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    505瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    427瀏覽量