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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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P4NK50ZFP-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: P4NK50ZFP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介
P4NK50ZFP-VB 是一款高電壓 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,設(shè)計用于高電壓電源和電力電子應(yīng)用。其最大漏極源電壓(VDS)為 650V,使其在高壓環(huán)境下具備良好的工作穩(wěn)定性。該器件的閾值電壓(Vth)為 3.5V,支持高達(dá) ±30V 的柵源電壓(VGS),適合各種電源管理應(yīng)用。通過 Plannar 技術(shù),P4NK50ZFP-VB 提供較高的導(dǎo)通電流和相對較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 2560mΩ@VGS=10V),從而提升了整體電路的效率。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: P4NK50ZFP-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: Single-N-Channel
- **最大漏極源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **開關(guān)電源**: P4NK50ZFP-VB 特別適用于高壓開關(guān)電源設(shè)計,在提升能效的同時,能夠在各種負(fù)載條件下穩(wěn)定工作,確保電源的高效轉(zhuǎn)換。

2. **高壓驅(qū)動電路**: 該 MOSFET 可作為高壓驅(qū)動電路中的開關(guān)元件,應(yīng)用于馬達(dá)驅(qū)動和工業(yè)控制系統(tǒng),提供可靠的電流控制,滿足高電壓和中等電流的需求。

3. **電源適配器**: 在電源適配器和充電器中,P4NK50ZFP-VB 能夠處理高電壓,保證在各種輸入條件下穩(wěn)定輸出,為電子設(shè)備提供可靠的電源。

4. **照明控制系統(tǒng)**: 此 MOSFET 可用于高壓照明控制,幫助調(diào)節(jié)燈具亮度,實現(xiàn)高效且安全的燈光管理,廣泛應(yīng)用于商業(yè)和工業(yè)照明領(lǐng)域。

5. **電力電子設(shè)備**: 在變頻器和逆變器等電力電子設(shè)備中,P4NK50ZFP-VB 可有效進(jìn)行電能轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié),確保設(shè)備在高電壓下的穩(wěn)定性和性能。

通過以上應(yīng)用,P4NK50ZFP-VB 為高電壓電路提供了優(yōu)秀的性能和廣泛的適用性,成為許多電源和驅(qū)動應(yīng)用中不可或缺的組件。

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